Get Adobe Flash player
    Принимаются SMS-пожертвования на развитие ресурса     Копирование материалов     разрешено с обязательной ссылкой     на этот сайт     Принимаются SMS-пожертвования на развитие ресурса    

Идентификация полупроводниковых SMD-компонентов


0  1  2  3  4  5  6  7  8  9    A 

A’  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  p  P  Q  R  s  S  t  T  U  V  W  X  Y  Z


Цоколевки:                  диодов          транзисторов            микросхем


 

Чтобы идентифицировать тип SMD компонента, сначала определите код, нанесенный на приборе. Затем найдите первый символ кода в алфавитно-цифровом списке  и нажмите на него.

Цоколевку прибора можно получить при нажатии на пункты раздела «Цоколевки» в верхней части экрана.

 

Kаждый код прибора не обязательно уникален. Например, код 1A имеют транзисторы BC846A и FMMT3904. Даже один производитель может использовать один и тот же код для различных устройств. В этом случае используйте дополнительную информацию для его правильной идентификации.

Некоторые производители используют дополнительные буквы для указания на собственный код идентификации. Так фирма Philips обычно добавляет к коду строчные буквы «p», «t» и символ «-«, а фирма Siemens — строчную букву «s».

Например, если код прибора в корпусе SOT23 — 1Ap, то необходимо искать код 1A. Согласно таблице имеются шесть вариантов с таким кодом:

Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка Эквивалент/Краткое описание
1A BC846A Phi ITT Mot SOT23 T1a SI-N BC546A
1A BC846AW Motorola SOT323 T1a SI-N BC546A
1A FMMT3904 Zetex SOT23 T1a SI-N 2N3904
1A SXT3904 Infineon SOT89 T3a SI-N 40V 200mA 2N3904
1A MMBT3904 Motorola SOT23 T1a SI-N 2N3904
1A IRLML2402 IR SOT23 T1c n-ch mosfet 20V 0.9A

Однако наличие суффикса p говорит о производителе — фирме Philips и прибор в данном корпусе однозначно определяется как транзистор BC846A.

Многие приборы фирмы Rohm, код которых начинаются с буквы R или G, имеют прямым эквивалентом код, найденный в оставшейся части. Например, код RA1 также как и A1 обозначает диод BAW56, а код G6B также как и 6B обозначает транзистор BC817-25. Код некоторых транзисторов этой фирмы имеет в конце дополнительную букву (в наших таблицах заменена символом «*»), указывающую на коэффициет усиления hfe в соответствии со следующей таблицей.

Code hfe Code hfe Code hfe Code hfe Code hfe
A 16-32 B 25-50 D 60-120 E 100-200 F 160-320
M 39-82 N 56-120 P 82-180 Q 120-270 R 180-390
S 270-560 T 390-820 U 560-1200 V 820-1800 W 1200-2700
X 1800-3900 Y 2700-5600

Некоторые из новых устройств фирмы Motorola имеют маленькую надпись после кода устройства типа SAC, которая обозначает просто месяц изготовления.

Дальнейшее уточнение может быть получено по типу корпуса прибора. Например, код 1К на корпусе SOT23 относится к транзистору BC848B (250mW), а код 1К на корпусе SOT323 идентифицирует прибор как BC848BW (идентичный, но 200mW).

Суффикс L обычно указывает на корпус с низким профилем, типа SOT323 или SC70.

Устройства с реверсивным расположением выводов часто имеют суффикс R в обозначении типа. Например, 67 — код для BFP67 в корпусе SOT143, а 67R — код для варианта с реверсивным расположением выводов BFP67R в корпусе SOT143R.

Эквиваленты и дополнительная информация

Где это возможно, в таблице дается соответствующий данному SMD-компоненту тип обычных приборов с эквивалентными характеристиками. Если такое устройство достаточно известно, то подробная информация не дается, в противном случае иногда приводится некоторая дополнительная информация. Для приборов не имеющих обычного эквивалента часто дается краткое описание, которое может быть полезно для поиска замены.

При описании характеристик устройства, некоторые данные подразумеваются из типа устройства. Например, напряжение, указанное для диода — обычно максимальное обратное напряжение, а для стабилитрона — напряжение стабилизации. Обычно в описании, где определены напряжение, ток или мощность, задаются максимальные значения.

Например, устройство, указанное как SI-N 20V 0. 1A 1W — это NPN транзистор с максимальным Vce=20V, максимальным током коллектора 100mA и максимальной мощностью 1W.

Некоторые из транзисторов имеют интегрированные резисторы. В таблице резистор базы означает резистор, соединенный последовательно с базой. Когда даны два значения резисторов, то первый соединен последовательно с базой, а второй — между базой и эммитером.

 

Используемые сокращения

Сокращения в колонке данных
amp amplifier atten attenuator
a anode b base
c cathode ca common anode
cc common cathode comp complement
d drain dg dual gate
enh enhancement (mode — FETs) fet field effect transistor
fT transition frequency GaAsfet Gallium Arsenide field effect transistor
g gate gnd ground
gp general purpose hfe small signal current gain
i/p input Id drain current
Ig gate current Ir reverse leakage current (diodes)
jfet junction field effect transistor max maximum
min minimum mosfet metal oxide insulated gate fet
n-ch n-channel fet (any type) npn npn bipolar transistor
o/p output p-ch p-channel fet (any type)
pin pin diode pkg package
pnp pnp bipolar transistor prot protection, protected (as in mosfet gate)
res resistor s source
ser series Si silicon
SI-N npn transistor SI-P pnp transistor
substr substrate sw switch or switching
Vce collector — emitter voltage (maximum) Vcc collector supply voltage
Сокращенные названия фирм-производителей
DalSemi Dallas Semiconductor Fairchild Fairchild Semiconductor
GenSemi General Semiconductor HP Hewlett-Packard
ITT ITT Semiconductors Maxim Maxim
Motorola Motorola NatSemi National Semiconductor
Philips Philips Semiconductors Rohm Rohm Co., Ltd
STM STMicroelectronics (SGS-Thompson) Infineon Infineon Technologies (Siemens)
Siliconix Siliconix (Vishay-Silliconix) Temic Temic Semiconductors
Telefunken Telefunken (Vishay-Telefunken) TI Texas Instruments
Toko Toko Inc. Zetex Zetex Semiconductors