Get Adobe Flash player
    Принимаются SMS-пожертвования на развитие ресурса     Копирование материалов     разрешено с обязательной ссылкой     на этот сайт     Принимаются SMS-пожертвования на развитие ресурса    

SMD

Логические м/с серии «Little»

Логические микросхемы поверхностного монтажа серии «LITTLE» .

Более подробно в документе под названием «Little Logic Guide».

Основные серии и их характеристики:

LittleLog2

Микросхемы с одним логическим элементом:

LittleLog

 

Кодировка SMD конденсаторов

Три основных варианта маркировки SMD конденсаторов.

Вариант 1
Код содержит два или три знака (буквы или цифры), обозначающие рабочее напряжение и номинальную емкость. Причем буквы обозначают напряжение и емкость, а цифра указывает множитель. В случае двухзначного обозначения не указывается код рабочего напряжения.

smdvarone

 

 

Вариант 2
Код содержит четыре знака (буквы и цифры), обозначающие номинальную емкость и рабочее напряжение. Буква, стоящая вначале, обозначает рабочее напряжение, последующие знаки — емкость в пикофарадах (пф), а последняя цифра — количество нулей. Возможны 2 варианта кодировки емкости: а) первые две цифры указывают номинал в пФ, третья — количество нулей; б) емкость указывают в микрофарадах, знак р выполняет функцию десятичной запятой. Ниже приведены примеры маркировки конденсаторов емкостью 4.7мкФ и рабочим напряжением 10В.

smdvartwo

Вариант 3
Если величина корпуса позволяет, то код располагается в две строки: на верхней строке указывается номинал емкости, на второй строке — рабочее напряжение. Емкость может указываться непосредственно в микрофарадах (мкФ) или 8 пикофарадах (пф) с указанием количества нулей (см. способ В). Например, первая строка — 15, вторая строка — 35V означает, что конденсатор имеет емкость 15мкФ и рабочее напряжение 35В.

 

smdvarthree

 

Маркировка,аналоги SMD элементов sot-89

Кодовое обозначение SMD приборов в копусе(sot — 89)

тип прибора
кодовая марк.
структура
рекомендуемый аналог
краткие параметры

BC868

CAC

Si-P

BD329

Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz

ВС 869

СЕС

Si-P

BC369, BD330

Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz

BCV61

D91

Si-N

Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz

BCV62

С 91

Si-P

Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz

ВСХ 51

АА

Si-P

BC636, BD136

Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz

ВСХ 52

АЕ

Si-P

BC638, BD138

Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz

ВСХ 53

АН

Si-P

BC640, BD140

Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz

ВСХ 54

ВА

Si-N

BC635, BD135

Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz

ВСХ 55

BE

Si-N

BC637, BD137

Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz

ВСХ 56

ВН

Si-N

BC639, BD139

Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz

ВСХ 68

СА

Si-N

BC368, BD329

Min, Uni,25V, 1A, 65MHz

ВСХ 69

СЕ

Si-P

BC369, BD300

Min, Uni,25V, 1A, 65MHz

BF620

DC

Si-N

BF420, BF471, BF871

Min, Vid,300V, 0.02A, >60MHz

BF621

DF

Si-P

BF421, BF472, BF872

Min, Vid,300V, 0.02A, >60MHz

BF622

DA

Si-N

BF422, BF469, BF869

Min, Vid,250V, 0.02A, >60MHz

BF623

DB

Si-P

BF423, BF470, BF870

Min, Vid,250V, 0.02A, >60MHz

BFQ17

FA

Si-N

BFW16A

Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz

BFQ18A

FF

Si-N

BFQ34, BFQ64

Min, UHF-A,25V, 150mA, 3.6GHz

BFQ19

FB

Si-N

BFR96, 2SC3268

Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz

BFQ67

V2

Si-N

BFQ65

Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra

BSR30

BR1

Si-P

2N4030

Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40

BSR31

BR2

Si-P

2N4031

Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100

BSR32

BR3

Si-P

2N4032

Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40

BSR33

BR4

Si-P

2N4033

Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100

BSR40

AR1

Si-N

BSX46-6

Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40

BSR41

AR2

Si-N

BSX46-16

Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100

BSR42

AR3

Si-N

2N3020

Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40

BSR43

AR4

Si-N

2N3019

Min, NF/S,90V, 1 A,<250/1000ns,B> 100

BST15

BT1

Si-P

2N5415

Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz

BST16

BT2

Si-P

2N5416

Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz

BST39

AT1

Si-N

Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz

BST40

AT2

Si-N

Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz

BST50

AS1

Si-N-Darl

BSR50, BSS50, BDX42

Min,60V, 1A, 350MHz, B>2000

BST51

AS2

Si-N-Darl

BSR51, BSS51, BDX43

Min, 80V, 1A, 350MHz, B>2000

BST52

AS3

Si-N-Darl

BSR52, BSS52, BDX44

Min,100V, 1A, 350MHz, B>2000

BST60

BS1

Si-P-Darl

BSR60, BSS60, BDX45

Min,60V, 1A, 350MHz, B>2000

BST61

BS2

Si-P-Dari

BSR61, BSS61, BDX46

Min,80V, 1A, 350MHz, B>2000

Маркировка, аналоги SMD элементов sot-23

Кодовое обозначение SMD приборов в копусе(sot — 23)

полная марки- ровка
(тип прибора)

маркировка на
корпусе  прибора

структура

Рекомен-дуемый
аналог

 

краткие параметры

типовая
альтерн.

BAS16

А 6

Si-Di

BAW62, 1N4148

Min, S, 85V, 0.1A, <6ns

BAS17

А 91

Si-St

ВА 314

Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA

BAS19

А 8

Si-Di

BAV19

Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms

BAS20

А 81

Si-Di

BAV20

Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms

BAS21

А 82

Si-Di

BAV21

Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms

BAS29

L20

Si-Di

BAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

BAS31

L21

Si-Di

2xBAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

BAS35

L22

Si-Di

2xBAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

ВАТ 17

A3

Pin-Di

BA480

VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz

В AT 18

А 2

Pin-Di

BA482

VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1 A, 200MHz

BAV70

А 4

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, 70V, 0.1 A, <6ns

BAV99

А 7

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, 70V, 0.1 A, <6ns

BAW56

А 1

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, S, 70V, 0.1 A, <6ns

BBY31

S1

C-Di

BB405, BB609

UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 — 2.8pF

BBY40

S2

C-Di

BB809

UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF

ВС 807-16

5 А

5AR

Si-P

BC327-16

Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 100- 250

ВС 807-25

5 В

5BR

Si-P

BC327-25

Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 160- 400

ВС 807-40

5 С

5CR

Si-P

BC327-40

Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600

ВС 808-16

5 Е

5ER

Si-P

BC328-16

Min, NF-Tr,25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250

ВС 808-25

5F

5FR

Si-P

BC328-25

Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400

ВС 808-40

5G

5GR

Si-P

BC328-40

Min, NF-Tr,25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600

ВС 817-16

6 А

6AR

Si-N

BC337-16

Min, NF-Tr,5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250

ВС 846 В

1 В

1BR

Si-N

BC546B

Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz

ВС 847 А

1 Е

1ER

Si-N

BC547A, BC107A

Min, Uni,45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220

ВС 847 В

1F

1FR

Si-N

BC547B, BC107B

Min, Uni,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 200-450

ВС 847 С

1G

1GR

Si-N

BC547C, BC107C

Min, Uni,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800

ВС 848 А

1 J

1JR

Si-N

BC548A, BC108A

Min, Uni,30V, 0.1A, 300mhz, B= 110-220

ВС 848 В

1 K

1KR

Si-N

BC548B, BC108B

Min, Uni,30V, 0.1 A, 300MHz, B= 200-450

ВС 848 С

1L

1LR

Si-N

BC548C, BC108C

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800

ВС 849 В

2 В

2BR

Si-N

BC549B, BC108B

Min, Uni, ra30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

ВС 849 С

2 С

2CR

Si-N

BC549C, BC109C,

Min, Uni, ra,30V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800

ВС 850 В

2F

2FR

Si-N

BC550B, BCY59

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

ВС 850 С

2G

2GR

Si-N

BC550C, BCY59

Min, Uni, ra,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800

ВС 856 А

ЗА

3AR

Si-P

BC556A

Min, Uni,65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250

ВС 856 В

ЗВ

3BR

Si-P

BC556B

Min, Uni,65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 857 А

ЗЕ

3ER

Si-P

BC557A, BC177A

Min, Uni,45V, 0.1 A, 150MHz, B= 125-250

ВС 857 В

3F

3FR

Si-P

BC557B, BC177B

Min, Uni,45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 857 С

3G

3GR

Si-P

BC557C

Min, Uni,45V, 0.1 A, 150MHz, B= 420-800

ВС 858 А

3J

3JR

Si-P

BC558A, BC178A

Min, Uni,30V, 0.1 A, 150mhzB= 125-250

ВС 858 В

ЗК

3KR

Si-P

BC558B, BC178B

Min, Uni,30V, 0.1 A, 150mhzB= 220-475

ВС 858 С

3L

3LR

Si-P

BC558C

Min, Uni,30V, 0.1A, 150mhzB=420-800

ВС 859 А

4A

4AR

Si-P

BC559A,
BC179A,BCY78

Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150

ВС 859 В

4B

4BR

Si-P

BC559B, BCY79

Min, Uni, ra,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 859 С

4 С

4CR

Si-P

BC559C, BCY79

Min, Uni, ra,30V, 0.1 A, 150MHz, B= 420-800

ВС 860 А

4 Е

4ER

Si-P

BC560A, BCY79

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 150

ВС 860 В

4F

4FR

Si-P

BC560B, BCY79

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 860 С

4G

4GR

Si-P

BC560C, BCY79

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800

BCF29

С 7

С 77

Si-P

BC559A, BCY78,
ВС 179

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1 A, 150MHz,

BCF30

С 8

С 9

Si-P

BC559B, BCY78

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 150MHz,

BCF32

D7

D77

Si-N

BC549B, BCY58,
ВС 109

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 300MHz,

BCF33

D8

D81

Si-N

BC549C, BCY58

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1 A, 300MHz,

BCF70

Н 7

Н 71

Si-P

BC560B, BCY79

Min, NF-V, ra,50V, 0.1A, 1500MHz,

BCF81

К 9

К 91

Si-N

BC550C

Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, ra

BCV71

К 7

К 71

Si-N

BC546A

NF/S, 80V.0.1A, 300MHz, B=1 10-220

BCV72

К 8

К 81

Si-N

BC546B

NF/S, 80V.0.1A, 300MHz, B=200-450

BCW29

С 1

С 4

Si-P

BC178A, BC558A

Min, Uni,30V, 0.1A, 150MHz, B= >120

BCW30

С 2

С 5

Si-P

BC178B, BC558B

Min, Uni,30V, 0.1A, 150MHz, B= >215

BCW31

D1

D4

Si-N

BC108A, BC548A

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >110

BCW32

D2

D5

Si-N

BC108B, BC548

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >200

BCW33

D3

D6

Si-N

BC108C, BC548C

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >420

BCW60A

АА

Si-N

BC548A

Min, Uni,32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220

BCW60B

АВ

Si-N

BC548B

Min, Uni,32V, 0.1 A, 250MHz, B= 200-450

BCW60C

АС

Si-N

BC548B

Min, Uni,32V, 0.1 A, 250MHz, B= 420-600

BCW60D

AD

Si-N

BC548C

Min, Uni,32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800

BCW61A

ВА

Si-P

BC558A

Min, Uni,32V, 0.2A, 180mhz, B= 110-220

BCW61B

ВВ

Si-P

BC558B

Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450

BCW61C

ВС

Si-P

BC558B

Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620

BCW61D

BD

Si-P

BC558C

Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800

BCW69

Н 1

Н 4

Si-P

BC557A

Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120

BCW70

Н 2

Н 5

Si-P

BC557B

Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215

BCW71

К 1

К 4

Si-N

BC547A

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110

BCW72

К 2

К 5

Si-N

BC547B

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200

BCW81

КЗ

К 31

Si-N

BC547C

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420

BCW89

НЗ

Н 31

Si-P

BC556A

Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120

ВСХ 17

Т 1

Т 4

Si-P

BC327

Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 100MHz

ВСХ 18

Т 2

Т 5

Si-P

BC328

Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 100MHz

ВСХ 19

U1

U4

Si-N

BC337

Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz

ВСХ 20

U2

U5

Si-N

BC338

Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 200MHz

BCX70G

AG

Si-N

BC107A, BC547A

Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220

ВСХ 70 Н

AH

Si-N

BC107B, BC547B

Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450

BCX70J

AJ

Si-N

BC107B, BC547B

Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620

ВСХ 70 К

AK

Si-N

BC107C, BC547C

Min, Uni,45V, 0.2A, 250mhz, B= 600-800

BCX71G

BG

Si-P

BC177A, BC557A

Min, Uni,45V, 0.2A.180MHz, B= 125-250

ВСХ 71 Н

BH

Si-P

BC177B, BC557B

Min, Uni,45V, 0.2A,180MHz, B= 220-475

BCX71J

BJ

Si-P

BC177B, BC557B

Min, Uni,45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650

ВСХ 71 К

BK

Si-P

BC557C

Min, Uni,45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800

BF510

S6

N-FET

BF410A

Min, VHF-ra,20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V

BF511

S7

N-FET

BF410B

Min, VHF-ra,20V, ldss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V

BF512

S8

N-FET

BF410C

Min, VHF-ra,20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V

BF513

S9

N-FET

BF410D

Min, VHF-ra,20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V

BF536

G3

Si-P

BF936

Min, VHF-M/O, 30V, 25mA, 350MHz

BF550

G2

G5

Si-P

BF450

Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz

BF569

G6

Si-P

BF970

Min, UHF-M/O, 40V, 30mA, 900MHz

BF579

G7

Si-P

BF979

Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHz

BF660

G8

G81

Si-P

BF606A

Min, VHF-O, 40V, 25mA,650MHz

BF767

G9

Si-P

BF967

Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz

BF820

1V

Si-N

BF420

Min, Vid 50mA, >60MHz

BF821

1W

Si-P

BF421

Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz

BF822

1X

Si-N

BF422

Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz

BF823

1Y

Si-P

BF423

Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz

BF824

F8

Si-P

BF324

Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz

BF840

F3

Si-N

BF240

Min, Uni, 15V, 0.1A, 0.3W,>90MHz

BF841

F31

SI-N

BF241

Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz

BFR30

M1

N-FET

BFW11, BF245

Min, Uni,25V, ldss>4mA, YP<5V

BFR31

M2

N-FET

BFW12, BF245

Min, Uni,25V, ldss>1mA, YP<2.5V

BFR53

N1

N4

Si-N

BFW30, BFW93

Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz

BFR92

P1

P4

Si-N

BFR90

Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFR92A

P2

P5

Si-N

BFR90

Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFR93

R1

R4

Si-N

BFR91

Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5- 6GHz

BFR93A

R2

R5

Si-N

BFR91

Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5- 6GHz

BFS17, (BFS17A)

E1 (E2)

E4 (E5)

Si-N

BFY90, BFW92(A)

Min, VHF/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz

BFS18

F1

F4

Si-N

BF185, BF495

Min, HF,30V, 30mA, 200MHz

BFS19

F2

F5

Si-N

BF184, BF494

Min, HF,30V, 30mA, 260MHz

BFS20

G1

G4

Si-N

BF199

Min, HF, 30V, 30mA, 450MHz

BFT25

V1

V4

Si-N

BFT24

Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHz

BFT46

M3

NFT

BFW13, BF245

Min, NF/HF,25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V

BFT92

W1

W4

Si-P

BFQ51, BFQ52

Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFT93

X1

X4

Si-P

BFQ23, BFQ24

Min, UHF-A, 15V, 35mA, 5GHz

BRY61

A5

BYT

BRY56

70V, lp=5 « A, lv= 30 « A

BRY62

A51

Tetrode

BRY56, BRY39

Tetrode, Min,70V, 0.1 75A, T=10 « s

BSR12

B5

B8

Si-P

2N2894A

Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz, <20/30ns

BSR13

U7

U71

Si-N

2N2222, PH2222

Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns

BSR14

U8

U81

Si-N

2N2222A, PH2222A

Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns

BSR15

Т 7

Т 71

Si-P

2N2907, PH2907

Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns

BSR16

Т 8

Т 81

Si-P

2N2907A PH2907A

Min, HF/S,60/60V, 0.6A, <35/110ns

BSR17

U9

U91

Si-N

2N3903

Min, HF/S,60V, 0.2A, <70/250ns, B=50-150

BSR17A

U92

U93

Si-N

2N3904

Min, HF/S,60V, 0.2A, <70/225ns, B=100-300

BSR18

Т 9

Т 91

Si-P

2N3905

Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz

BSR18A

Т 92

Т 93

Si-P

2N3906

Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz

BSR19

U35

Si-N

2N5550

Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz

BSR19A

U36

Si-N

2N5551

Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz

BSR20

Т 35

Si-P

2N5400

Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz

BSR20A

Т 36

Si-P

2N5401

Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz

BSR56

М 4

N-FET

2N4856

Min, S, Chopper,40V, Idss >40mA, Up < 10V

BSR57

М 5

N-FET

2N4857

Min, S, Chopper,40V, Idss >20mA, Up <6V

BSR58

Мб

N-FET

2N4858

Min, S, Chopper,40V, Idss >8mA, Up <4V

BSS63

ТЗ

Т 6

Si-P

BSS68

Min.Uni, 110V, 0.1A, 85MHz

BSS64

U6

U6

Si-N

BSS38

Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz

BSV52

В 2

ВЗ

Si-N

PH2369, BSX20

Min, S,20V, 0.1 A, < 12/1 8ns

BZX84-…

Si-St

BZX79

Min, Mm/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0. 3W

PBMF4391

М 62

N-FET

Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V

PBMF4392

М 63

N-FET

Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V

PBMF4393

М 64

N-FET

Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

Идентификация полупроводниковых SMD-компонентов


0  1  2  3  4  5  6  7  8  9    A 

A’  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  p  P  Q  R  s  S  t  T  U  V  W  X  Y  Z


Цоколевки:                  диодов          транзисторов            микросхем


 

Чтобы идентифицировать тип SMD компонента, сначала определите код, нанесенный на приборе. Затем найдите первый символ кода в алфавитно-цифровом списке  и нажмите на него.

Цоколевку прибора можно получить при нажатии на пункты раздела «Цоколевки» в верхней части экрана.

 

Kаждый код прибора не обязательно уникален. Например, код 1A имеют транзисторы BC846A и FMMT3904. Даже один производитель может использовать один и тот же код для различных устройств. В этом случае используйте дополнительную информацию для его правильной идентификации.

Некоторые производители используют дополнительные буквы для указания на собственный код идентификации. Так фирма Philips обычно добавляет к коду строчные буквы «p», «t» и символ «-«, а фирма Siemens — строчную букву «s».

Например, если код прибора в корпусе SOT23 — 1Ap, то необходимо искать код 1A. Согласно таблице имеются шесть вариантов с таким кодом:

Код Наименование Фирма Корпус Цоколевка Эквивалент/Краткое описание
1A BC846A Phi ITT Mot SOT23 T1a SI-N BC546A
1A BC846AW Motorola SOT323 T1a SI-N BC546A
1A FMMT3904 Zetex SOT23 T1a SI-N 2N3904
1A SXT3904 Infineon SOT89 T3a SI-N 40V 200mA 2N3904
1A MMBT3904 Motorola SOT23 T1a SI-N 2N3904
1A IRLML2402 IR SOT23 T1c n-ch mosfet 20V 0.9A

Однако наличие суффикса p говорит о производителе — фирме Philips и прибор в данном корпусе однозначно определяется как транзистор BC846A.

Многие приборы фирмы Rohm, код которых начинаются с буквы R или G, имеют прямым эквивалентом код, найденный в оставшейся части. Например, код RA1 также как и A1 обозначает диод BAW56, а код G6B также как и 6B обозначает транзистор BC817-25. Код некоторых транзисторов этой фирмы имеет в конце дополнительную букву (в наших таблицах заменена символом «*»), указывающую на коэффициет усиления hfe в соответствии со следующей таблицей.

Code hfe Code hfe Code hfe Code hfe Code hfe
A 16-32 B 25-50 D 60-120 E 100-200 F 160-320
M 39-82 N 56-120 P 82-180 Q 120-270 R 180-390
S 270-560 T 390-820 U 560-1200 V 820-1800 W 1200-2700
X 1800-3900 Y 2700-5600

Некоторые из новых устройств фирмы Motorola имеют маленькую надпись после кода устройства типа SAC, которая обозначает просто месяц изготовления.

Дальнейшее уточнение может быть получено по типу корпуса прибора. Например, код 1К на корпусе SOT23 относится к транзистору BC848B (250mW), а код 1К на корпусе SOT323 идентифицирует прибор как BC848BW (идентичный, но 200mW).

Суффикс L обычно указывает на корпус с низким профилем, типа SOT323 или SC70.

Устройства с реверсивным расположением выводов часто имеют суффикс R в обозначении типа. Например, 67 — код для BFP67 в корпусе SOT143, а 67R — код для варианта с реверсивным расположением выводов BFP67R в корпусе SOT143R.

Эквиваленты и дополнительная информация

Где это возможно, в таблице дается соответствующий данному SMD-компоненту тип обычных приборов с эквивалентными характеристиками. Если такое устройство достаточно известно, то подробная информация не дается, в противном случае иногда приводится некоторая дополнительная информация. Для приборов не имеющих обычного эквивалента часто дается краткое описание, которое может быть полезно для поиска замены.

При описании характеристик устройства, некоторые данные подразумеваются из типа устройства. Например, напряжение, указанное для диода — обычно максимальное обратное напряжение, а для стабилитрона — напряжение стабилизации. Обычно в описании, где определены напряжение, ток или мощность, задаются максимальные значения.

Например, устройство, указанное как SI-N 20V 0. 1A 1W — это NPN транзистор с максимальным Vce=20V, максимальным током коллектора 100mA и максимальной мощностью 1W.

Некоторые из транзисторов имеют интегрированные резисторы. В таблице резистор базы означает резистор, соединенный последовательно с базой. Когда даны два значения резисторов, то первый соединен последовательно с базой, а второй — между базой и эммитером.

 

Используемые сокращения

Сокращения в колонке данных
amp amplifier atten attenuator
a anode b base
c cathode ca common anode
cc common cathode comp complement
d drain dg dual gate
enh enhancement (mode — FETs) fet field effect transistor
fT transition frequency GaAsfet Gallium Arsenide field effect transistor
g gate gnd ground
gp general purpose hfe small signal current gain
i/p input Id drain current
Ig gate current Ir reverse leakage current (diodes)
jfet junction field effect transistor max maximum
min minimum mosfet metal oxide insulated gate fet
n-ch n-channel fet (any type) npn npn bipolar transistor
o/p output p-ch p-channel fet (any type)
pin pin diode pkg package
pnp pnp bipolar transistor prot protection, protected (as in mosfet gate)
res resistor s source
ser series Si silicon
SI-N npn transistor SI-P pnp transistor
substr substrate sw switch or switching
Vce collector — emitter voltage (maximum) Vcc collector supply voltage
Сокращенные названия фирм-производителей
DalSemi Dallas Semiconductor Fairchild Fairchild Semiconductor
GenSemi General Semiconductor HP Hewlett-Packard
ITT ITT Semiconductors Maxim Maxim
Motorola Motorola NatSemi National Semiconductor
Philips Philips Semiconductors Rohm Rohm Co., Ltd
STM STMicroelectronics (SGS-Thompson) Infineon Infineon Technologies (Siemens)
Siliconix Siliconix (Vishay-Silliconix) Temic Temic Semiconductors
Telefunken Telefunken (Vishay-Telefunken) TI Texas Instruments
Toko Toko Inc. Zetex Zetex Semiconductors

Маркировка SMD диодов и стабилитронов

Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett Packard

#
Конфигурация
Тип корпуса
Цоколевка
0
Одиночный диод
SOT23
D1a
2
Два последовательно включенных диода
SOT23
D1i
3
Два диода с общим анодом
SOT23
D1j
4
Два диода с общим катодом
SOT23
D1h
5
Два отдельных диода
SOT143
D6d
7
Кольцо из четырех диодов
SOT143
D6c
8
Мост из четырех диодов
SOT143
D6a
9
Перевернутая четверка диодов
SOT143
B
Одиночный диод
SOT323
D2a
C
Два последовательно включенных диода
SOT323
D2b
E
Два диода с общим анодом
SOT323
D2c
F
Два диода с общим катодом
SOT323
D2d
K
Два отдельных диода
SOT363
D7b
L
Три отдельных диода
SOT363
D7f
M
Четыре диода с общим катодом
SOT363
D7g
N
Четыре диода с общим анодом
SOT363
D7h
P
Мост из четырех диодов
SOT363
D7i
R
Кольцо из четырех диодов
SOT363
D7j
T
Диод с низкой индуктивностью
SOT363
U
Последовательно-параллельная пара диодов
SOT363

Маркировка SMD диодов в цилиндрических корпусах

Тип
1 полоса
2 полоса
Эквивалент
BA682
Красная
Нет
BA482
BA683
Красная
Желтая
BA483
BAS32
Черная
Нет
1N4148
BAV100
Зеленая
Черная
BAV18
BAV101
Зеленая
Красная
BAV19
BAV102
Зеленая
Красная
BAV20
BAV103
Зеленая
Желтая
BAV21
BB219
Нет
Нет
BB909

Маркировка диодов и диодных сборок

Наименование Маркировка Кол-во диодов Обратное напр. Прямой ток Время рас. Емкость диода Корпус
LL 4148 один 70 В 100 мА 4 нс 4,0 пФ mini-МELF
BAS 216 один 75 В 250 мА 4 нс 1,5 пф SOD110
BAT254 NEW один 30 В 200 мА 5 нс 10 пФ SOD110
BAS 16 JU/A6 один 75 В 200 мА 6 нс 2,0 пФ SOT23
BAS 21 JS один 200 В 200 мА 50 нс 5 пФ SOT23
BAV 70 JJ/A4 2 диода 70 В 250 мА 6 нс 1,5 пФ SOT23
BAV 99 JK, JE, A7 2 диода 70 В 250 мА 6 нс 1,5 пФ SOT23
BAW 56 JD, A1 2 диода 70 В 250 мА 6 нс 2,0 пФ SOT23
BAT54S L44 2 шотки 30 В 200 мА 5 нс 10 пФ SOT23
BAT54C L43 2 шотки 30 В 200 мА 5 нс 10 пФ SOT23
BAV23S L31 2 диода 200В 225 мА 50 нс 5 пФ SOT23

Маркировка стабилитронов BZX84


Тип Маркировка Uст при 5мА min Uст при 5мА nom Uст при 5мА max Max R ДИФ Uст в диапазоне -60 … +125°С
BZX84C2V7 W4 2,4B 2,7B 3,1B 85 Oм -0,06%
BZX84C3V0 W5 2,8B 3,0B 3,2B 85 Oм -0,06%
BZX84C3V3 W6 3,1В 3,3В 3,5В 85 Ом -0,06%
BZX84C3V9 W8 3,7В 3,9В 4,1В 85 Ом -0,06%
BZX84C4V3 Z0 4,1B 4,3B 4,5B 80 Ом -0,03%
BZX84C4V7 Z1 4,4В 4,7В 5,0В 80 Ом -0,03%
BZX84C5V1 Z2 4,9B 5,1B 5,3B 60 Ом 0,03%
BZX84C5V6 Z3 5,2В 5,6В 6,0В 40 Ом 0,03%
BZX84C6V2 Z4 5,8В 6,2В 6,6В 10 Ом 0,05%
BZX84C6V8 Z5 6,4В 6,8В 7,2В 15 Ом 0,05%
BZX84C7V5 Z6 7,1В 7,5В 7,9В 15 Ом 0,05%
BZX84C8V2 Z7 7,7В 8,2В 8,7В 15 Ом 0,06%
BZX84C9V1 Z8 8,8В 9,1В 9,5В 20 Ом 0,05%
BZX84C10 Z9 9,4В 10,0В 10,6В 20 Ом 0,07%
BZX84C12 Y2 11,4В 12,0В 12,7В 25 Ом 0,07%
BZX84C15 Y4 13,8В 15,0В 15,6В 30 Ом 0,08%
BZX84C18 Y6 16,8В 18,0В 19,1В 45 Ом 0,08%
BZX84C20 Y8 17,8В 20,0В 21,0В 45 Ом 0,08%

Маркировка стабилитронов BZT52


Тип Маркировка Uст при 5мА min Uст при 5мА nom Uст при 5мА max Max R ДИФ Uст в диапазоне -60 … +125°С
BZT52-C3V3S W4 3,1B 3,3B 3,5B 95 Oм -0,055%
BZT52-C3V9S W6 3,7B 3,9B 4,1B 95 Oм -0,050%
BZT52-C4V3S W7 4,0В 4,3В 4,6В 95 Ом -0,035%
BZT52-C4V7S W8 4,4В 4,7В 5,0В 75 Ом -0,015%
BZT52-C5V1S W9 4,8B 5,1B 5,4B 60 Ом -0,005%
BZT52-C6V8S WB 6,4B 6,8B 7,2B 8 Ом 0,045%

Маркировка SMD полевых транзисторов

Таблица маркировки транзисторов SMD полевых, МОП

Маркировка Тип прибора Маркировка Тип прибора
V01 VN50300T
701 2N7001 V02 VN0605T
702 SN7002 V04 VN45350T
6A MMBF4416 V0AJ TP610T
6B MMBF5484 V50 VP0610T
6C MMBFU310 C93 SST4393
6D MMBF5457 H16 SST4416
6E MMBF5460 I08 SST108
6F MMBF4860 I09 SST109
6G MMBF4393 I10 SST110
6H MMBF5486 M4 BSR56
6J MMBF4391 M5 BSR57
6K MMBF4932 M6 BSR58
6L MMBF5459 P01 SST201
6T MMBFJ310 P02 SST202
6W MMBFJ175 P03 SST203
6Y MMBFJ177 P04 SST204
6Z MMBF170 S14 SST5114
B08 SST6908 S15  SST5115
B09 SST6909 S16 SST5116
B10 SST6910 S70 SST270
C11 SST111 S71 SST271
C12 SST112 S74  SST174
C13 SST113 S75 SST175
C41 SST4091 S76 SST176
C42 SST4092 S77 SST177
C43 SST4093 SA BSS123
C59 SST4859 SS BSS138
C60 SST4860 TV MMBF112
C61 SST4861 Z08 SST308
C91 SST4391 Z09 SST309
C92 SST4392 Z10 SST310

Маркировка SMD биполярных транзисторов

В таблице приведены условные обозначения на корпусах SMD транзисторов для поверхностного монтажа, их тип и аналоги.

Обозначение на корпусе Тип транзистора Условный аналог
15 MMBT3960 2N3960
1A BC846A BC546A
1B BC846B BC546B
1C MMBTA20 MPSA20
1D BC846
1E BC847A BC547A
1F BC847B BC547B
1G BC847C BC547C
1H BC847
1J BC848A BC548A
1K BC848B BC548B
1L BC848C BC548C
1M BC848
1P FMMT2222A 2N2222A
1T MMBT3960A 2N3960A
1X MMBT930
1Y MMBT3903 2N3903
2A FMMT3906 2N3906
2B BC849B BC549B
2C BC849C BC549C / BC109C / MMBTA70
2E FMMTA93
2F BC850B BC550B
2G BC850C BC550C
2J MMBT3640 2N3640
2K MMBT8598
2M MMBT404
2N MMBT404A
2T MMBT4403 2N4403
2W MMBT8599
2X MMBT4401 2N4401
3A BC856A BC556A
3B BC856B BC556B
3D BC856
3E BC857A BC557A
3F BC857B BC557B
3G BC857C BC557C
3J BC858A BC558A
3K BC858B BC558B
3L BC858C BC558C
3S MMBT5551
4A BC859A BC559A
4B BC859B BC559B
4C BC859C BC559C
4E BC860A BC560A
4F BC860B BC560B
4G BC860C BC560C
4J FMMT38A
449 FMMT449
489 FMMT489
491 FMMT491
493 FMMT493
5A BC807-16 BC327-16
5B BC807-25 BC327-25
5C BC807-40 BC327-40
5E BC808-16 BC328-16
5F BC808-25 BC328-25
5G BC808-40 BC328-40
549 FMMT549
589 FMMT589
591 FMMT591
593 FMMT593
6A BC817-16 BC337-16
6B BC817-25 BC337-25
6C BC817-40 BC337-40
6E BC818-16 BC338-16
6F BC818-25 BC338-25
6G BC818-40 BC338-40
9 BC849BLT1
AA BCW60A BC636 / BCW60A
AB BCW60B
AC BCW60C BC548B
AD BCW60D
AE BCX52
AG BCX70G
AH BCX70H
AJ BCX70J
AK BCX70K
AL MMBTA55
AM BSS64 2N3638
AS1 BST50 BSR50
B2 BSV52 2N2369A
BA BCW61A BC635
BB BCW61B
BC BCW61C
BD BCW61D
BE BCX55
BG BCX71G
BH BCX71H BC639
BJ BCX71J
BK BCX71K
BN MMBT3638A 2N3638A
BR2 BSR31 2N4031
C1 BCW29
C2 BCW30 BC178B / BC558B
C5 MMBA811C5
C6 MMBA811C6
C7 BCF29
C8 BCF30
CE BSS79B
CEC BC869 BC369
CF BSS79C
CH BSS82B / BSS80B
CJ BSS80C
CM BSS82C
D1 BCW31 BC108A / BC548A
D2 BCW32 BC108A / BC548A
D3 BCW33 BC108C / BC548C
D6 MMBC1622D6
D7 BCF32
D8 BCF33 BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA BCW67A
DB BCW67B
DC BCW67C
DE BFN18
DF BCW68F
DG BCW68G
DH BCW68H
E1 BFS17 BFY90 / BFW92
EA BCW65A
EB BCW65B
EC BCW65C
ED BCW65C
EF BCW66F
EG BCW66G
EH BCW66H
F1 MMBC1009F1
F3 MMBC1009F3
FA BFQ17 BFW16A
FD BCV26 MPSA64
FE BCV46 MPSA77
FF BCV27 MPSA14
FG BCV47 MPSA27
GF BFR92P
H1 BCW69
H2 BCW70 BC557B
H3 BCW89
H7 BCF70
K1 BCW71 BC547A
K2 BCW72 BC547B
K3 BCW81
K4 BCW71R
K7 BCV71
K8 BCV72
K9 BCF81
L1 BSS65
L2 BSS70
L3 MMBC1323L3
L4 MMBC1623L4
L5 MMBC1623L5
L6 MMBC1623L6
L7 MMBC1623L7
M3 MMBA812M3
M4 MMBA812M4
M5 MMBA812M5
M6 BSR58 / MMBA812M6 2N4858
M7 MMBA812M7
O2 BST82
P1 BFR92 BFR90
P2 BFR92A BFR90
P5 FMMT2369A 2N2369A
Q3 MMBC1321Q3
Q4 MMBC1321Q4
Q5 MMBC1321Q5
R1 BFR93 BFR91
R2 BFR93A BFR91
S1A SMBT3904
S1D SMBTA42
S2 MMBA813S2
S2A SMBT3906
S2D SMBTA92
S2F SMBT2907A
S3 MMBA813S3
S4 MMBA813S4
T1 BCX17 BC327
T2 BCX18
T7 BSR15 2N2907A
T8 BSR16 2N2907A
U1 BCX19 BC337
U2 BCX20
U7 BSR13 2N2222A
U8 BSR14 2N2222A
U9 BSR17
U92 BSR17A 2N3904
Z2V FMMTA64
ZD MMBT4125 2N4125