Get Adobe Flash player
    Принимаются SMS-пожертвования на развитие ресурса     Копирование материалов     разрешено с обязательной ссылкой     на этот сайт     Принимаются SMS-пожертвования на развитие ресурса    

Архив за месяц: Апрель 2011

Цветомаркировка резисторов


Транзисторы СССР

 

Маломощные транзисторы СССР

AVR

Программатор AVR

Список поддерживаемых чипов

AT86RF401 AT89S51 AT89S52 AT90CAN128 AT90CAN32 AT90CAN64 AT90PWM2 AT90PWM216 AT90PWM2B AT90PWM3 AT90PWM316
AT90PWM324 AT90PWM3B AT90S1200 AT90S2313 AT90S2323 AT90S2343 AT90S4414 AT90S4433 AT90S4434 AT90S8515 AT90S8535 AT90USB1286 AT90USB1287 AT90USB162 AT90USB646 AT90USB647 AT90USB82 ATmega103 ATmega128 ATmega1280
ATmega1281 ATmega1284P ATmega16 ATmega161 ATmega162 ATmega163 ATmega164P ATmega165 ATmega165P ATmega168
ATmega168P ATmega169 ATmega169P ATmega16HVA ATmega2560 ATmega2561 ATmega32 ATmega323 ATmega324P ATmega325
ATmega3250 ATmega3250P ATmega325P ATmega328P ATmega329 ATmega3290 ATmega3290P ATmega329P ATmega32C1 ATmega32HVB
ATmega32M1 ATmega32U4 ATmega406 ATmega48 ATmega48P ATmega64 ATmega640 ATmega644 ATmega644P ATmega645
ATmega6450 ATmega649 ATmega6490 ATmega8 ATmega8515 ATmega8535 ATmega88 ATmega88P ATtiny11 ATtiny12 ATtiny13
ATtiny15 ATtiny167 ATtiny22 ATtiny2313 ATtiny24 ATtiny25 ATtiny26 ATtiny261 ATtiny28 ATtiny43U ATtiny44
ATtiny45 ATtiny461 ATtiny48 ATtiny84 ATtiny85 ATtiny861 ATtiny88

Uniprog

Uniprog

FLASH AMD (Am)
AMD (Am)
Am28F0x0: Am28F256/ 512/ 010/ 020
Am28F0x0A: Am28F256A/ 512A/ 010A/ 020A
Am29F0x0: Am29F010/ 020/ 040/ 080/ 016
Am29F00xT(B): Am29F 002(N)T(B)
Am29Fx00T(B): Am29F100T(B)/ 200T(B)/ 400AT(AB)/ 800T(B)

Atmel (At)
At49F010-080: At49F010/ 020/ 040/ 080/ 080T
At49F001-008: At49F001(N, T, NT)/ 002(N, T, NT)/ 008(A, AT)
At29C(LV,BV)0x0(A): At29C(LV)256/ C(LV)512/ C010A/ L(B)V010A/ C020/
L(B)V020/ C040A/ L(B)V040A/ C040 

 

 

Catalyst (CAT)
CAT28F0x0: CAT28F512/ 010/ 020
CAT28F00xT(B): CAT28F001T(B)/ 002T(B) 

 

 

Intel (I)
I28F0x0: I28F256/ 512/ 010/ 020
28F00xB(C)X(V,E,L)-T(B): I28F001B(C)X(V,E,L)-T(B)/ 002-T(B)/ 004-T(B)/ 008-T(B)
I28Fx00B(C)X(V,E,L)-T(B): I28F200B(C)X(V,E,L)-T(B)/ 400-T(B)/ 800-T(B)
I28F008-032SA(V): I28F008SA/ 016SA/ 032SA
I28F004-016SC(C-L): l28f004SC/ 008SC/ 016SC 

 

 

Integrated Silicon Solution ISSI (IS)
IS28F0x0: IS28F010/ 020 

 

 

Hitachi (HN)
HN28F101, HN28F1600 

 

 

Mitsubishi (m5m)
m5m28F0x0: m5m28F101
m5m28FT(B)x00VP: m5m28FT800VP/ B800VP
m5m29FT(B)x00VP: m5m29FT800VP/ B800VP 

 

 

Macronix MXIC (MX)
MX29F0x0: MX29F040/ 080/ 016
MX29Fx00T(B): MX29F100T(B)/ 200T(B)/ 400T(B)/ 800T(B)
MX29F00xT(B): MX29F001T(B)/ 022(N)T(B)/ 002(N)T(B)/ 004T(B)
MX29Fxx00T(B,G): MX29F8000T(B)/ 8100G/ 8100T(B)
MX28Fx000P(T): MX28F1000P/ 2000P/ 2000T
MX28Fxx00T(B): MX28F2100T(B)
MX28F00xT(B): MX28F002T(B) 

 

 

Mosel Vitelic (V)
V29LC51000-002: V29LC51000/ 51001/ 51002
V29C51000-004T(B): V29C51000T(B)/ 51001T(B)/ 51002T(B)/ 51004T(B) 

 

 

NexFlash Technologies (NX)
NX29F010 

 

 

SGS Tomson (M)
M28F0x0: M28F256/ 512 / 101/ 151/ 201
M28F2xx-4xx: M28F211/ 221/ 411/ 421/ 210/ 220/ 410/ 420/ 430/ 440
M28F841,161: M28F841/ 161
M29F0x0: M29F040
M29Fx00T(B): M29F400T(B)

Texas Instruments (TMS)
TMS28F010 

 

 

Silicon Storage Techology (SST)
SST28F(L,V)0x0(A): SST28F(L,V)040(A)
SST29L(V,EE)0x0(A): SST29EE512(A)/ L(V)E512(A)/ EE010(A)/
L(V)E010(A)/ EE020(A)/ L(V)E020(A)
SST39SF(VF,LH)0x0(Q): SST39SF512/ SF010/ SF020/ VF040Q/ VF080Q/ LH016Q 

 

 

Winbond (W)
W29EE(C)0x0: W29EE512/ C010M/ EE011(2)/ C020(2)(C)/ C040
W29D0x0: W29D040
W29F00xB(U,N): W29F002B/ 002U(N)

BRIGHT Microelectronics
BM29F0x0: BM29F040
BM29Fx00T(B): BM29F400T(B)

EPROM c ультрафиолетовым стиранием:
С ультрафиолетовым стиранием:
573РФ2/ РФ5/ РФ4 /РФ4A /РФ6A /РФ8A
27xx Series – 27C16/ 32/ 64/ 128/ 256/ 512/ 010/ 1000/ 1001/ 020/ 040/ 4001/080. 

AMD (Am), Atmel (At), Intel (I), SGS-Tomson (M), Texas Instruments (TMS), Hitachi (HN), Catalyst (CAT), NEC (NEC), Toshiba, National Semicondactor (NSC), Microchip Technology, Fujitsu, Mitsubishi (M, M5M), Winbond (W), Silicon Storage Technology (SST).

Hitachi HN27C101/ 301
SGS-Tomson M87C257, M27C801, M27C405
Mitsubishi M27C100K/ 101 /201 /401 /401.

 

 

Электрически стираемые:
Winbond W27E257/ 512/ 010/ 020/ 040
SST SST27SF256/ 512/ 010/ 020

Однократно программируемые ПЗУ:
155РЕ3, 74S571, 556РТ4А(3601),556РТ11(93427С)
556РТ5(3604),556РТ17(3624А) — ВНИМАНИЕ!!! ПЗУ 556РТ5(17) требуют абсолютной идентичности сигналов на 22 и 24 выводах при программировании (иначе происходит выгорание микросхемы при программировании). Т.к. данная схема этого сделать не позволяет (всегда имеется небольшая задержка между сигналами) рекомендуем на случай программирования 556РТ5(17) сделать переходную панель в которой 22 вывод переключить с сигнала Е3 на сигнал Е4 с 24 вывода
556РТ12(N82S136),556РТ13(N82S137)
556РТ14(DM87S184),556РТ15(DM87S185)
556РТ16(HM_76641-5), 556РТ6, 556РТ7А,556РТ18(HM_77661-5)
Микроконтроллеры:
MCS 48: I8748(1816BE48) /49
MCS 51: I8751(1816ВЕ751)
I87C51(1830ВЕ751)/ C52(1830ВЕ753)/ C54/ C58
I87C51(FX-Core)
I87C51RA/ FA/GB 87C52(FX-Core)
I87C51RB/ FB 87C54(FX-Core)
I87C51RC/ FC 87C58(FX-Core)
I87C51SL 5.0v
At89C5x: At89C51/ At89C51-5/ At89C52/ At89C52-5/ At89C55/
At89C55-5
At89Cx051: At89C1051/ At89C2051/ At89C4051 — панель DP6 под 1556Рхх
At89S8252 Parallel mode/ At89S8252 Serial mode
 

 

PIC-контроллеры:
PIC12xxx
PIC12C5xx: PIC12C508(A)/ 509(A), PIC12CE518/ 519
PIC12C(E)67x: PIC12C671/ 672, PIC12CE673/ 674
PIC16xxx
PIC16C55x: PIC16C554/ 556/ 558
PIC16C5xx: PIC16C(R)52/ 54(A,B,C)/ 55(A)/ 56(A)/ 57(C,B)/ 58A(B)/ 505/                       HV540
PIC16C6x: PIC16C61/ 62(A,B)/ 63(A)/ 64(A)/ 65(A,B)/ 66/ 67/ 620(A)/ 621(A)/ 622(A)/ F627/ F628/ 642/ 662
PIC16C7x: PIC16C71/ 72(A)/ 73(A,B)/ 74(A,B)/ 76/ 77/ 710/ 711/ 773/ 774/ 712/ 715/ 716/ 717 /745/ 765
PIC16C(R)(F)8X: PIC16C84, PIC16F83/ 84(A), PIC16CR83/ 84
PIC16F8XX: PIC16F870/ 871/ 872/ 873/ 874/ 876/ 877
PIC16C9xx: PIC16C923/ 924
PIC14000
ПЛМ 556 RT1 /RT2
556 RT1 /RT2
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ ПЗУ  —  I I C.
Atmel (At)
At24Cxx: At24C01(A) /21 /02(A) /04(A) /08(A) /16 /164 /32 /64 /128 /256 /512
At34C0x: At34C02 Software protect 

 

 

Asahi Kasei Microsystems AKM(AK)
AK60xx: AK6002A /03A (Software protect) /04A /12A 

 

 

CATALYST (CAT)
CAT24WCxx: CAT24WC01/02(3) /04(5) /08(9) /16(17) /32(33) /64(65) /128(129) /256(257) 

 

 

Integrated Silicon Solution ISSI(IS) IS24Cxx:
IS24C01/02 /04 /16 /64 

 

 

Microchip
24xxx: 24C(LC,AA,FC)00 /01(A,C,B,SC) /21(A) /41(A) /02(A,B,SC) /24(5)
/04(A,B) /08(B) /16(B) /164 /32(A) /64 /128 /256
85Cxx: 85C72 /82 /92
*Software protect 24LCS52 /24LC(AA)174 /24C(LC,AA,FC)65 

 

 

Philips PCB2421
PCF85xx: PCF8582C-2 /94C-2 /98C-2 /116-3 

 

 

SAMSUNG (KS)
KS24xxx: KS24C011/021/L161/321/L641/A128 /A256
*Software protect KS24C010 /020 

 

 

SGS Tomson
(ST) M2201
ST24(25)xxx: ST24(5)L(F)C(W)01/02 /21(B) /04 /08 /16 /164 /E16 /E32 /E64 /E256
ST14(15)xxx: ST14C02C /04C /E32F /E32F

*Security ST24(25)S08 /S16 

 

 

SIEMENS (SLx)
SDA25xx: SDA2516 -5 /26 (-5)
SLx24Cxx: SLx24C01/02 /04 /08 /16 /164 /32 /64
*Page Protect SLx24Cxx /P: SLx24C01-P/02-P /04-P /08-P /16-P /164-P /32-P /64-P

Xicor (X)
X24xxx: X24C00 /01 /02 /04 /08 /16 /164 /165 /325 /645 /129 /F008 /F016 /F032 /F064

ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ ПЗУ —  S P I
Atmel (At)
At25(HP)xx: At25010 /020 /040 /080 /160 /320 /640 /128 /256 /1024 

 

 

CATALYST (CAT)
CAT25Cxx: CAT25C02 /04 /08 /16 /32 /64 /128 /256
*IDLock CAT25C03 /05 /09 /17 /33 

 

 

Microchip
25xxx: 25(C,LC,AA)010 /020 /040 /080 /160 /320 /640 

SGS Tomson (ST)
ST95xxx: ST95010(1) /ST95(P)02(0/1) /04(0/1) /08(0/1)

SIEMENS (SLx) SLx25Cxx:
SLx25C010 /020 /040 /080 /160
Page Protect SLx25Cxx /P: SLx25C010-P /020-P /040-P /080-P /160-P

Xicor (X)
X25xxx: X25C02 /020(1) /040(1) /043 (Watchdog) /080 /160(170) /320(330) /640(2)(650) /128(138) /F008 /F016 /F032 /F064 / IDLock: 057 /97

ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ ПЗУ MicroWire
Atmel (At)
At59Cxx: At59C11 /22 /13 At93Cxx: At93C46(A,C) /57 /56(66) /86 

 

 

Asahi Kasei Microsystems AKM(AK)
AK93Cxx: AK93C45A /55A /65A /75A /85A /95A
AK64xx: AK6420A /40A /80A 

 

 

CATALYST (CAT)
CAT93Cxx:CAT93C46 /56(7) /66 /86 

 

 

Integrated Silicon Solution ISSI(IS)
IS93Cxx: IS93C46 /56 /66 

 

 

Microchip
59Cxx: 59C11
93xxx: 93C06 /93(C,LC,AA)46(B) /56(A,B) /66(A,B) /76 /86 /
Software Write Protect 93LCS56 /66 

 

 

SGS Tomson (ST)
ST93xxx: ST93C06(C) /46(7)(A,C) /56(7)(C) /66(7)(C) /
Software Write Protect ST93CS46(7) /56(7) /S66(7)

ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ ПЗУ DataFlash SPI
Atmel (At)
At45Dxx: At45D(B)011 /021 /041(A) /081 /161 /321

Willemprog

Программатор  Willem prog v4.5

(EPROM,EEPROM,FLASH,I2C,PIC,MCS-51,AVR, 93Cxx, ISP)
EPROM 27C64 , 27C128 , 27C256 , 27C512 , 27C010 , 27C020 , 27C 


040 , 27C1001
M27C1001 , M27C2001 , M27C4001
27C080 (A19) , M27C801 , M87C257
2716(Vpp25V) , 2732 , (adapter DIP24)
2764 , 27128 , 27256 , 27512 , 27010,
Vpp12.5V (21Vpp Modify Circuit)

EEPROM 28C65 , 28C64 , 28C128 , 28C256 , 28C512 , 28C010 , 28C020 , 28C040
M28C16A/17A (DIP28)
(Adapter or Jumper) 28C16,XLS2816 (DIP24)
FLASH Memory 28F64 , 28F128 , 28F256 , 28F512 , 28F010 , 28F020
MX26C1000 , MX26C2000 , MX28F1000 , MX28F2000
Am28F256A , Am28F512A , Am28F010A , Am28F020A (New command erase/prog.)
— intel —
i28F001BX , 28F004 , 28F008 , 28F016
FLASH Memory 29F64 , 29F128 , 29F256 , 29F512 , 29F010 , 29F020 , 29F040 , 29F080
29F001 , 29F002 , 29F004 , 29F008 , 29F016 , 29F032 , V29C51002T , 29LV040
Serial (I2C) EEPROM
24Cxx
24C02 , 24C04 , 24C08 , 24C16 , 85C72 , 85C82 , 85C92
— page write —-
24C32 , 24C64 , 24C128 , 24C256 , 24C512
Microwire EEPROM
<—— Data 8bit ——> (pin 6 ->ORG. [Schematic connect to GND])
93C06 , 93C46 , 93LC46 , 93C56 , 93C57, 93C66 , 93C76 , 93C86 (8bit) , AT59C11 , AT59C22 , AT59C13
CAT35C102 , CAT35C104 , CAT35C108 (pullup pin7)
<——Data 16bit——> (pin 6 ->NC [No Connect])
93C06A , 93C46X , 93C56 , 93C66 , 93C76 , 93C86 (NS)
Microchip PIC 16C84 , 16F84 ,16F84A , 16F627/16F628
12C508/A , 12C509/A , 12CE518 , 12CE519 , 16C505
16C620 , 16C621 , 16C622 , 16CE623 , 16CE624 , 16CE625 , 16C710/711
—ICSP connector—-
16F870 , 16F871 , 16F872 , 16F873 , 16F874 , 16F876 , 16F877 PIC16F873A , PIC16F874A , PIC16F876A , PIC16F877A
-Add PIC microchip 14bit
PIC12F629 , PIC12F675 , PIC16F630 , PIC16F676 , PIC12F635 , PIC12F683 , PIC16F636 , PIC16F684 , PIC16F688
PIC16F72/73/74/76/77 , PIC16F737/747/767/777 , PIC16F87/88 , rfPIC12F675x , PIC16F785/PS200 , PIC16F716
-Add microchip 14bit,12bit OTP
PIC12C671 , PIC12C672 , PIC12CE673 , PIC12CE674
PIC16C61/71 , PIC16C62/64/65/73 , PIC16C62A/62B/62C/63/63A/64A/65A/65B/66/67
PIC16C72/72A/73A/74A/74B/76/77 , PIC16C620/620A/621/621A/622/622A
PIC16CE/623/624/625 , PIC16C710/711/712/716 , PIC16C773/774 , PIC16C745/765/923/924 , PIC16C925/926
PIC16C554/556/557/558 , PIC16C432/433 , PIC16C717/770/771/781/782
-Add PIC microchip 14bit
PIC12F629/675 , PIC16F630/676 , PIC12F635/683 , PIC16F636/684/688 , PIC16F72/73/74/76/77 , PIC16F737/747/767/777 , PIC16F87/88 , rfPIC12F675x , PIC16F785/PS200 , PIC16F716
-Add microchip 14bit OTP
PIC12C671 , PIC12C672 , PIC12CE673 , PIC12CE674 , PIC16C61/71 , PIC16C62/64/65/73 , PIC16C62A/62B/62C/63/63A/64A/65A/65B/66/67 , PIC16C72/72A/73A/74A/74B/76/77 , PIC16C620/620A/621/621A/622/622A , PIC16CE/623/624/625 , PIC16C710/711/712/716 , PIC16C773/774 , PIC16C745/765/923/924 , PIC16C925/926 , PIC16C554/556/557/558 , PIC16C432/433 , PIC16C717/770/771/781/782
-Add PIC microchip 12bit (FLASH memory)
PIC12F508/509 , PIC10F200/202/204/206 , PIC16F505 , PIC16F54/57
-Add PIC18Fxxx
PIC18F242 , 18F248 , 18F252 , 18F258 , 18F442 , 18F448 , 16F452 , 16F458
PIC18F1220 , 18F2220 , 18F4220 , 18F1320 , 18F2320 , 18F4320
PIC18F6520 , 18F6620 , 18F6720 , 18F8520 , 18F8620 , 18F8720
PIC18F2331 , 18F2431 , 18F4331 , 18F4431
PIC18F6525 , 18F6621 , 18F8525 , 18F8621
PIC18F6585 , 18F6680 , 18F8585 , 18F8680
PIC18F2439 , 18F2539 , 18F4439 , 18F4539
PIC18F6410 , 18F8410 , 18F6490 , 18F8490
Add PIC18Fxxx
PIC18F2410 , PIC18F2420 , PIC18F2455
PIC18F2510 , PIC18F2515 , PIC18F2520 , PIC18F2525 , PIC18F2550 , PIC18F2585
PIC18F2610 , PIC18F2620 , PIC18F2680
PIC18F4410, PIC18F4420 , PIC18F4455
PIC18F4510 , PIC18F4515 , PIC18F4520 , PIC18F4525 , PIC18F4550 , PIC18F4585
PIC18F4610 , PIC18F4620 , PIC18F4680
Add Find and edit value OSCCAL (PIC12F629/675 , PIC16F630/676)
Add Edit config at address 0x2008,0x2009 (PIC12F635/683 , PIC16F636/684/688 , PIC16F785)
Fixed Programming PIC all
Test on chip
PIC12F675 , PIC16F676 , PIC16F684 ,PIC16F767, PIC16F74
PIC16F872 , PIC16F876 , PIC16F877, PIC16F876A, PIC16F873A, PIC16F819
PIC16F84 , PIC16F84A , PIC16F628, PIC16F628A,
eprom PIC12C509JW , PIC16C505JW , PIC16C711JW , PIC16CE625JW
PIC18F458 , PIC18F4320 , PIC18LF258 , PIC18F4539 , PIC18F4431
Atmel Flash Memory
(Sector Programming)
(Software Data Protection)
AT29C256 , AT29C512 , AT29C010A , AT29C020 , AT29C040 , AT29C040A
W29EE512 , W29EE011 , W29EE012 , W29C020(128) , W29C040
PH29EE010(W29EE011) 

ASD AE29F1008 (AT29C010), AE29F2008 (AT29C020)
Ver 0.992 up(DOS). Can run under win9x
(disable prog. CPUIdle or CPUCool)

AT49BV512

Atmel Flash Memory
AT49Fxxx (Subset 29Fxxx)
(Byte-by-Byte Programming)
(Software Data Protection)
Command seq. 5555/AA, 2AAA/55, 5555/A0
AT49F512 , AT49F010 , AT49F020 , AT49F040
SST39SF010 , SST3S9F020 ,SST39SF040
AT49F001 , AT49F002 , AT49F008A 

Command seq. 555/AA, 2AA/55, 555/A0
Am29F512 , Am29F010 , Am29F020 , Am29F040 , HY29F080
29F002 , 29F002T , Pm29F002T

Serial Peripheral Interface (SPI)
EEPROM Mode0 (0,0)
AT25xxx, W95xxx
[Atmel] AT25010 , 020 , 040 (A8-A0)
AT25080 , 160 , 320 , 640 , 128 , 256 (A15-A0)
[ST] W95010….256, Microchip 25×010 — 25×640
— Byte programming
25010 , 25020 , 25040
— Page programming
25C080 , 25C160 , 25C320 , 25C640 , 25C128 , 25C256 , 25C512
AT25HP256 , AT25HP512 , M25P10 , M25P20 , M25P40
AT25HP1024 (24bit address)
— CAT64LCxxx (16bit DATA IN/OUT) use Socket 93Cxxx
CAT64LC010, CAT64LC020, CAT64LC040
Atmel EEPROM (page prog.)
(Software Data Protection)
AT28C256 , AT28C010 , AT28C040
Nonvaltile SRAM (DS12xx) DS1220 , DS1225Y , DS1230Y/AB , DS1245Y/AB , DS1249Y/AB
static RAM (Test RAM) 6116 , 6264 , 62256 , 62512 , 628128
EPROM winbond,SST
Electrical Erase Chip
W27E512 , W27E010 , W27C010 , W27C020 , W27C040
SST27SF256 , SST27SF512 , SST27SF010 , SST27SF020
MX26C4000
Vcc = 3.3-3.6V SST37VF512 , SST37VF010 , SST37VF020 , SST37VF040
Flash Memory SST,Sanyo SST28SF040A , LE28F4001

  • Add device ID,Menu,Table index :28F002/004/200/400BX-x (TSOP40A,TSOP48 8/16bit, PSOP44) Version 098D5
  • Fixed Program Config PIC16F8x, PIC16F62x, PIC16F87x
  • — Fixed ID PIC18F84A (Test on PIC16F84, PIC16F84A, PIC16F627/628/628A, PIC16F872/877)
  • Fixed Timming Programming PIC12C5xx (Run on Windows XP) Test on PIC12C509JW UV erase), PIC16C505JW (UV erase),PIC12F509 (select device = PIC12C509A)
  • Add PIC microchip 14bit PIC12F629/675 , PIC16F630/676 , PIC12F635/683 , PIC16F636/684/688 , PIC16F72/73/74/76/77 , PIC16F737/747/767/777 , PIC16F87/88 , rfPIC12F675x , PIC16F785/PS200 , PIC16F716
  • Add microchip 14bit OTP PIC12C671 , PIC12C672 , PIC12CE673 , PIC12CE674 , PIC16C61/71 , PIC16C62/64/65/73 , PIC16C62A/62B/62C/63/63A/64A/65A/65B/66/67 , PIC16C72/72A/73A/74A/74B/76/77 , PIC16C620/620A/621/621A/622/622A , PIC16CE/623/624/625 , PIC16C710/711/712/716 , PIC16C773/774 , PIC16C745/765/923/924 , PIC16C925/926 , PIC16C554/556/557/558 , PIC16C432/433 , PIC16C717/770/771/781/782
  • Add PIC microchip 12bit (FLASH memory) PIC12F508/509 , PIC10F200/202/204/206 , PIC16F505 , PIC16F54/57
  • Add PIC18Fxxx PIC18F242 , 18F248 , 18F252 , 18F258 , 18F442 , 18F448 , 16F452 , 16F458 PIC18F1220 , 18F2220 , 18F4220 , 18F1320 , 18F2320 , 18F4320 PIC18F6520 , 18F6620 , 18F6720 , 18F8520 , 18F8620 , 18F8720 PIC18F2331 , 18F2431 , 18F4331 , 18F4431
  • PIC18F6525 , 18F6621 , 18F8525 , 18F8621 PIC18F6585 , 18F6680 , 18F8585 , 18F8680
  • PIC18F2439 , 18F2539 , 18F4439 , 18F4539 PIC18F6410 , 18F8410 , 18F6490 , 18F8490
  • -Add PIC18Fxxx PIC18F2410 , PIC18F2420 , PIC18F2455
  • PIC18F2510 , PIC18F2515 , PIC18F2520 , PIC18F2525 , PIC18F2550 , PIC18F2585
  • PIC18F2610 , PIC18F2620 , PIC18F2680
  • PIC18F4410, PIC18F4420 , PIC18F4455
  • PIC18F4510 , PIC18F4515 , PIC18F4520 , PIC18F4525 , PIC18F4550 , PIC18F4585
  • PIC18F4610 , PIC18F4620 , PIC18F4680
  • Add Find and edit value OSCCAL (PIC12F629/675 , PIC16F630/676)
  • Add Edit config at address 0x2008,0x2009 (PIC12F635/683 , PIC16F636/684/688 , PIC16F785)
  • Fixed Programming PIC all Test on chip
  • PIC12F675 , PIC16F676 , PIC16F684 ,PIC16F767, PIC16F74
  • PIC16F872 , PIC16F876 , PIC16F877, PIC16F876A, PIC16F873A, PIC16F819
  • PIC16F84 , PIC16F84A , PIC16F628, PIC16F628A, eprom PIC12C509JW , PIC16C505JW , PIC16C711JW , PIC16CE625JW
  • PIC18F458 , PIC18F4320 , PIC18LF258 , PIC18F4539 , PIC18F4431
  • — Fixed Write/read/verify EEPROM 18F4550
  • — Fixed Bug program 18Fxxx run on Windows XP/2000 (test PIC18F4539 , PIC18F2680 , PIC18F2431 , PIC18F258 , PIC18F4220 , PIC18F4550)
  • Add find OSCCAL 10Fx00, 12F50x, 12F6xx (test PIC10F202, 12F509, 12F675) Version 0.98D2 ( PCB3B/PCB35 And PCB4C [0.98D2] ) (5/July/2005)
  • Fixed Write/read/verify EEPROM 18F4550
  • — Fixed Bug program 18Fxxx run on Windows XP/2000 (test PIC18F4539, PIC18F2680, PIC18F2431 PIC18F258, PIC18F4220, PIC18F4550)
  • Add find OSCCAL 10Fx00, 12F50x, 12F6xx (test PIC10F202, 12F509, 12F675)
  • Fixed Programm AT89C8253 (Want modify Adapter MCS-51) (test on AT89S8253); Version 0.98c ( PCB3B/PCB35 [0.98c] )
  • Add PIC microchip 14bit PIC12F629,PIC12F675, PIC16F630, PIC16F676 ,PIC12F635, PIC12F683, PIC16F636, PIC16F684, PIC16F688
  • PIC16F72/73/74/76/77, PIC16F737/747/767/777,PIC16F87/88, rfPIC12F675x, PIC16F785/PS200, PIC16F716
  • Add microchip 14bit,12bit OTP
  • PIC12C671,PIC12C672,PIC12CE673,PIC12CE674
  • PIC16C61/71,PIC16C62/64/65/73, PIC16C62A/62B/62C/63/63A/64A/65A/65B/66/67
  • PIC16C72/72A/73A/74A/74B/76/77, PIC16C620/620A/621/621A/622/622A
  • PIC16CE/623/624/625, PIC16C710/711/712/716, PIC16C773/774, PIC16C745/765/923/924,PIC16C925/926
  • PIC16C554/556/557/558, PIC16C432/433, PIC16C717/770/771/781/782
  • Add PIC microchip 12bit (FLASH memory)
  • PIC12F508/509, PIC10F200/202/204/206,PIC16F505, PIC16F54/57
  • Add PIC18Fxxx
  • PIC18F242,18F248,18F252,18F258,18F442,18F448,16F452,16F458
  • PIC18F1220,18F2220,18F4220,18F1320,18F2320,18F4320
  • PIC18F6520,18F6620,18F6720,18F8520,18F8620,18F8720
  • PIC18F2331,18F2431,18F4331,18F4431
  • PIC18F6525,18F6621,18F8525,18F8621
  • PIC18F6585,18F6680,18F8585,18F8680
  • PIC18F2439,18F2539,18F4439,18F4539
  • PIC18F6410,18F8410,18F6490,18F8490
  • Add PIC18Fxxx
  • PIC18F2410, PIC18F2420, PIC18F2455
  • PIC18F2510, PIC18F2515, PIC18F2520, PIC18F2525, PIC18F2550, PIC18F2585
  • PIC18F2610, PIC18F2620, PIC18F2680
  • PIC18F4410, PIC18F4420, PIC18F4455
  • PIC18F4510, PIC18F4515, PIC18F4520, PIC18F4525, PIC18F4550, PIC18F4585
  • PIC18F4610, PIC18F4620, PIC18F4680
  • Add Find and edit value OSCCAL (PIC12F629/675, PIC16F630/676)
  • Add Edit config at address 0x2008,0x2009 (PIC12F635/683,PIC16F636/684/688,PIC16F785)
  • Fixed Programming PIC all
  • Test on chip
  • PIC12F675, PIC16F676, PIC16F684 ,PIC16F767, PIC16F74
  • PIC16F872, PIC16F876, PIC16F877, PIC16F876A, PIC16F873A, PIC16F819
  • PIC16F84, PIC16F84A, PIC16F628, PIC16F628A,
  • eprom PIC12C509JW, PIC16C505JW, PIC16C711JW, PIC16CE625JW
  • PIC18F458, PIC18F4320, PIC18LF258, PIC18F4539, PIC18F4431

WiFi технология или колайдер в древнем египте?

Недавно, очередной раз просматривая ресурс «Лаборатория Альтернативной Истории»,  на глаза попалась следующая картинка:

 

как видно рисунок сделан в 1961г. — план подземных помещений в пирамиде фараона Унаса.

Давно мелькнувшая мысль, заставила покопать закрома интернета с весьма похожими картинками из современной жизни, а  точнее современных прикладных технологий…

Итог не заставил себя долго ждать — далее без комметариев:

Судя по размеру этих объемно-резонансных камер, можно предположить, что длины волн, и их гармонические составляющие, имеют метровые размеры (например звуковые волны), а возможно и вовсе неизвестного типа энергии.

Размеры и масштабы этих древних комплексов впечатляюще громадны — покруче колайдеров и синхрофазотронов будут. Если когда-либо выяснится, что все эти комплексы. вдоль Нила, были единой физической системой — это и будет прямым доказательством их изначально не ритуального назначения.

Как видно, и наземные сооружение, рядом с пирамидами, также являлись частью этой древней технологии.

Идея, что комплексы пирамид являются приемно-передающими устройствами,  уже высказывалась ранее. Быть может это своеобразный волновой колайдер?

Химические индикаторы или pH-тест своими руками

Индикаторы, используемые для определения pH раствора


Известны несколько сот кислотно-основных индикаторов, искусственно синтезированных начиная с середины XIX в. С некоторыми из них можно познакомиться в школьной химической лаборатории. Индикатор pH метиловый оранжевый (метилоранж) в кислой среде красный, в нейтральной — оранжевый, а в щелочной — жёлтый. Более яркая цветовая гамма свойственна индикатору тимоловому синему: в кислой среде он малиново-красный, в нейтральной — жёлтый, а в щелочной — синий. Индикатор pH фенолфталеин (он продаётся в аптеке под названием «пурген») в кислой и нейтральной среде бесцветен, а в щелочной имеет малиновую окраску. Поэтому фенолфталеин используют лишь для определения щелочной среды. В зависимости от кислотности среды изменяет окраску и краситель бриллиантовый зелёный (сто спиртовой раствор используется как дезинфицирующее средство — «зелёнка»). Для того чтобы проверить это, надо приготовить разбавленный раствор бриллиантового зелёного: налить в пробирку несколько миллилитров воды и добавить в неё одну-две капли аптечного препарата. Раствор приобретёт красивый зелёно-голубой цвет. В сильнокислой среде его окраска сменится жёлтой, а в сильнощелочной раствор обесцветится. Однако наиболее часто в лабораторной практике используется универсальный индикатор pH — смесь нескольких кислотно-основных индикаторов.

Как сделать pH-тест своими руками

Эта инструкция расскажет, как сделать pH индикатор, используя вещи, которые можно найти в супермаркете и на вашей кухне.
Ингридиенты
Вот что вам понадобится:
  • кочан красной капусты;
  • чистая вода;
  • кухонный нож;
  • марля;
  • пипетка;
  • пластиковая ложка для перемешивания;
  • миска.
Изготовление индикатора
redcabbage_01
  1. Нарежьте капусту и опустите в чистую кипящую воду;
  2. кипятите воду с капустой 30 минут;
  3. остудите кастрюлю;
  4. слейте отвар через марлю в миску. Продолжайте фильтровать, пока не избавитесь от всех осадков.

Все! У вас есть свой собственный индикатор рН.

Изготовление тест-полосок

Нарежьте лист бумаги для принтера на подходящего размера полоски. Пропитайте полоски получившейся у вас индикаторной жидкостью в течении нескольких часов. Вытащите полоски из раствора и просушите. Тест-полоски намного удобнее, чем индикаторная жидкость.

redcabbage_blotpaper

 

Измерение рН

Возьмите пипетку и капните несколько капель тестируемой жидкости в небольшое кол-во индикаторного раствора.
Если вы используете тест-полоски, то просто опустите одну в тестируемую жидкость.

redcabbage_line

Сравните результат с цветной шкалой.

Для жидкого индикатора:
PH_Scale.svg

 

Для сухого (с капусты):

Протестировать точность вашего индикатора можно используя самую разную ерунду у вас дома. Ориентируйтесь на следующие результаты замеров рН:

Уксус 2.0
Апельсиновый сок 3.0
Томатный сок 4.0
Молоко 6.8
Вода в кране 7.0
Пищевая сода 8.2
Хлорный отбеливатель 11

 

shkalaph

Чтобы понять, что тест работает, запомните, что в апельсиновом соке полоска станет красной, а в отбеливателе станет синей.

Не стоит волноваться, если при измерении рН раствора для гидропоники тест полоска станет светло-сиреневым. Это значит, что уровень кислотности около 5.5–6. А вот если тест показывает красный, синий, зеленый или желтый цвет, то необходимо срочно откорректировать рН.

 

Как это работает

Красная капуста содержит пигмент anthocyanins. Этот пигмент и обуславливает красный или фиолетовый цвет капусты. Anthocyanin Относится к группе флавоноидов.
рН индикаторы измеряют количество ионов водорода в растворе. При низком рН много положительно заряженых ионов, при высоком – много отрицательно заряженых ионов.

Запомните

Этот метод предназначен для людей, которые не слишком заморачиваются с кислотностью, но хотели бы узнать, что же это такое. Так же он пригодится людям с очень ограниченным бюджетом. Но запомните – за что платите, то и получаете («Вот блин америкосы гребаные!» – прим. переводчика). Но все же, насколько я знаю, точность измерений с помощью сока капусты вполне удовлетворительная. Ну а если результаты вас не устраивают, разоритесь наконец на рН тестер, или хотя бы аквариумный тест.

Источник: overgrow.com

 

Еще способы:

1 СПОСОБ: Приготовить наш индикатор pH из сока чёрной смородины
Нарежте тонкие лоскутки бумаги (1 х 5 см вполне подойдут), — бумага должна быть белая. Опустите несколько лоскутков бумаги в свежий сок смородины , -пусть полежать минут 5-6, пропитаются. Затем надо извлечь их из сока и дать высохнуть. Когда высохнет — индикатор pH будет готов.
Опробуем его действие. Для этого опустим наш один индикатор pH в раствор кальцинированной соды, который вероятно имеется в хозяйстве (или продаётся в хозяйственных магазинах). Можно также использовать нашатырный спирт. Наш индикатор pH среагирует на раствор и изменит свой цвет на сине-зёлёную (ведб растворы кальцинированной соды и нашатырного спирта дают щелочнуюсреду!)
А тепер возмите новый индикатор pH и капните на него укcусом или лимонным соком. Окраска измениться на ярко красную!

* Кальцинированная сода(или карбонат натрия)– Na2CO3 – белый порошок, применяемый в бытовом хозяйстве для чистки и мойки в качестве сильного отмывающего средства. Это средство прекрасно растворяется в воде, образуя при этом сильную щелочную среду. Раствор кальцинированной соды при кипячении очищает даже посуду со следами подгоревшей пищи. Голыми руками работать с раствором нельзя из-за большой химической активности.

Пищевая сода (или гидрокарбонат натрия)– NaHCO3 – очень похожа на кальцинированную соду и отличается от неё по химическому составу лишь на один атом натрия. В кальцинированной соде атомы натрия заместили все атомы водорода, а в пищевой соде – «атомов натрия не хватило».
Пищевая сода не опасная для употребления.
Используют эту соду для мойки посуды, особенно хорошо эта соль отмывает коричневый налёт (дубильную кислоту), оставляемый после выпитого чая на кружках. Пищевая сода значительно хуже растворяется в воде, чем кальцинированная (стиральная)сода, и, в отличии от последней, даёт очень слабую щелочную реакцию.

2 СПОСОБ:
Точно таким же образом можно приготовить индикатор pH из сока шелковицы. Этот индикатор pH тоже прекрасно реагирует на кислоту или щёлочь. Индикатором может служить луковый отвар, но индикатор pH, изготовленный на его основе, имеет менее выраженные краки и особо не показателен.
При желании можно попробовать действие этих индикаторов на других растворах: стиральных порошках, мыле, нашатырном спирте, газированной воде и др.
Если раствор имеет выраженную среду (меньне или больше 4 по шкале pH), то каждый раз наш индикатор pH будет менять свой окрас где больше, где меньше – в зависимости от активности среды.

3 СПОСОБ:
Приготовим индикатор pH из сока черноплодной рябины. Цвет индикатора будет изменяться с фиолетового на голубой или синий в зависимости от pH раствора. Фиолетовую окраску сокам придают так называемые антоциановые красители, которые обладают свойствами индикаторов. В присутствии кислот они фиолетовые, а в нейтральной или щелочной среде — синие. Если несколько капель сока черноплодной рябины растворить в стакане с раствором соды, то она приобретёт синюю окраску. Наш индикатор pH будет фиолетовым, если его поместить в кислую среду (например уксус или лимонную кислоту).

4 СПОСОБ
Приготовим индикатор pH из цветной капусты. Потрите кусочек краснокачанной капусты на тёрке. Затем положите тёртую капусту в какую-нибудь посуду и наполовину заполните посуду водой. В течении 20-30 с прогрейте контейнер с капустой и водой. Вода должна стать горячей и приобресте темно-пурпурный цвет.
Встряхните посуду, перелейте пурпурную жидкость в кружку, при этом оставте куочки капусту в посудине. Всё индикатор pH готов. Разлейте раствор в несколько мелких колбочек и попробуйте смешать с разными выществами (лимонной кислотой, уксусом, раствором кальцинированной соды). Если среда кислая — значит индикатор изменит цветс пурпурного на розовый, если щелочная — индикатор станет зелёным!

 

Кислотность воды

Большинство живых организмов могут существовать лишь в средах, близких к нейтральным. Это связано с тем, что под действием ионов Н+ и ОН многие белки, содержащие кислотные или основные группы, изменяют свою конфигурацию и заряд. А в сильнокислой и сильнощелочной средах рвётся пептидная связь, которая соединяет отдельные аминокислотные остатки в длинные белковые цепи. Из-за этого ультраосновные (сильнощелочные) растворы вызывают щелочные ожоги кожи и разрушают шёлк и шерсть, состоящие из белка. Все живые организмы вынуждены поддерживать во внутриклеточных жидкостях определённое значение кислотности среды (рН). Природная вода способна сохранять значение рН более или менее постоянным, даже если в неё извне попадает определённое количество кислоты или основания. Если в литр дистиллированной воды внести каплю концентрированной соляной кислоты, то рН понизится с 7 до 4. А если каплю соляной кислоты добавить в литр речной воды с рН=7, показатель почти не изменится. Кислоты и основания, попадающие в природную воду, нейтрализуются растворёнными в ней углекислым газом и гидрокарбонат-ионами:
Н++НСО-32О+СО2; ОН+СО2=HCO-3.


 

Электронная промышленность — продолжение

Проявление

ФР Проявление ФР — процесс удаления «лишних» (экспонированных — позитивный ФР или неэкспонированных — негативный ФР) в фоторезистивном слое участков в соответствии с локальным облучением при экспонировании.

Проявление негативных ФР

Проявление негативных ФР представляет собой процесс растворения необлученных участков. Основными факторами, определяющими качество изображения при проявлении негативных ФР, являются тип проявителя и полнота реакции полимеризации ФР при экспонировании. Проявитель должен обладать хорошей растворяющей способностью и минимальным воздействием на облученные участки фотослоя. Проявители для негативных ФР представляют собой органические растворители: толуол, бензол, уайт-спирит, трихлорэтилен, хлорбензол, диоксан и др. При неправильно выбранной экспозиции облученные участки сильно набухают, что приводит к искажению рисунка. Проникая между молекулами ФР, растворитель вызывает набухание слоя. При формировании прецизионных фоторезистивных масок набухание приводит к смещениям, смыканиям и деформациям элементов рисунка. Недоэкспонирование негативных ФР приводит к увеличению набухания при проявлении и, следовательно, к уменьшению разрешающей способности ФЛ-процесса. Если экспонирование выполнено при оптимальной экспозиции, перепроявление негативного ФР не опасно, поэтому процессы проявления легко автоматизировать. Отсутствие ионов щелочных металлов является ценным фактором при проявлении негативных ФР.

Проявление позитивных ФР

Проявление позитивных ФР представляет собой процесс удаления облученных при экспонировании участков резистивного слоя. Основными факторами, определяющими качество изображения при проявлении позитивных ФР, являются:

концентрация проявителя;

значение pH проявителя;

температура проявителя (рис. 10, кривая 2);


время проявления (рис. 10, кривая 1).

Величина pH — степень кислотности раствора, определяемая уравнением pH = –lgCН, где СН – концентрация ионов водорода в растворе. Для нейтральных растворов (воды) pH = 7, для кислых — pH < 7, для щелочных – pH > 7

При проявлении позитивных ФР используются растворы неорганических и органических оснований.

При проявлении ФР на основе НХД идет химическая реакция превращения полученной при экспонировании инденкарбоновой кислоты в хорошо растворимую соль, которая затем легко вымывается. После облучения поверхность позитивного ФР переходит из гидрофобного в гидрофильное состояние, поэтому облученные участки фоторезистивного слоя, в отличие от необлученных, хорошо смачиваются проявителем. В качестве проявителей применяются водные щелочные растворы (0,3–0,5%-ный раствор едкого кали, 1–2%-ный раствор тринатрийфосфата) или органические щелочи этанамины. Если слой проэкспонирован не полностью, раствор окрашивается в малиновый цвет, так как часть молекул инденкарбоновой кислоты превращается не в соль натрия, а соединяется с неразрешенными молекулами НХД, образуя краситель. Если молекулы НХД разрушены полностью на всю глубину фоторезистивного слоя, проявитель остается бесцветным.

С целью регулирования скоростей растворения в проявитель добавляют вещества, замедляющие процесс проявления. Такой проявитель называется буферным.

В технологии ИМС составы проявителей подбирают экспериментально. При этом параметрами качества ФР служат как характеристики изображения (точность воспроизведения рисунка и т. п.), так и показатели процесса, например производительность и выход годных.

На рис. 11 показана зависимость времени проявления и времени экспонирования для различных толщин ФР.

Положительной особенностью применения позитивных ФР является то, что при их проявлении практически отсутствует набухание необлученных участков слоя, поэтому позитивные ФР имеют большую разрешающую способность и меньшую ее зависимость от толщины фоторезистивного слоя по сравнению с негативными ФР.

Незначительные изменения концентрации проявителя сильно влияют на точность передачи изображения.

Время проявления стремятся свести к минимуму, так как в противном случае может происходить разрушение незасвеченных участков фоторезистивного слоя из-за наличия механических загрязнений, части разрушенных молекул НХД, а также изза растворения в проявителе полимерной составляющей ФР. Для стандартных позитивных проявителей время проявления составляет 15–20 с.

Концентрация проявителя должна быть минимальна и обеспечивать необходимую производительность проявления.

Уменьшение концентрации щелочного проявителя увеличивает контраст проявления, стабилизирует перенос изображения и снижает его дефектность.

Для каждого ФР существуют оптимальные сочетания экспозиции (времени экспонирования) и времени проявления, обеспечивающие наилучшую воспроизводимость размеров проявленных элементов рисунка. Увеличение экспозиции уменьшает время проявлении. При этом размеры проявленных в позитивных ФР элементов рисунков увеличиваются, а в негативных — уменьшаются. При увеличении времени проявления растет число точечных дефектов в слое ФР и растравливание границ рисунка по контуру окон.

Наиболее благоприятное время проявления ФР должно подбираться в интервале 30–40 с.

3ависимоcть между временем экспонирования t(ЭКС) и временем проявления t(ПР), обеспечивающими наилучшую воспроизводимость проявленных элементов рисунка, показана на рис. 12. На участке 2 кривой, соответствующем устойчивому воспроизведению размеров проявленного рисунка, при небольшом изменении одного из параметров, например t(ЭКС), происходят небольшие изменения другого параметра t(ПР). Участки 1 и 3 соответствуют неустойчивым режимам, так как незначительные изменения одного параметра вызывают большие изменения другого.

После проявления фоторезистивная маска не должна иметь сквозных дефектов, нарушающих ее целостность. Края маски должны быть четкими и ровными, а рисунок полностью соответствовать ФШ. На пробельных участках не должно быть остатков непроявленного ФР.

ФР проявляют пульверизацией или поливом. Эти методы обеспечивают необходимую чистоту процесса, достаточно полное удаление продуктов реакции и высокую производительность, а также возможность объединения в едином цикле на одной установке операций проявления, промывки и сушки на центрифуге.

Пульверизация обеспечивает качественное проявление слоя ФР при изготовлении ИС с элементами малых размеров (менее 5 мкм). При дисперсионном проявлении ФР (рис. 13) подложки подаются на столик центрифуги и удерживаются на нем при вращении вакуумным присосом. При включении центрифуги на подложки подается под давлением мелкодисперсионная струя проявителя. После проявления слоя ФР подложки промывают водой и сушат.

Вторая термообработка (задубливание ФР)

Проводится для удаления проявителя, воды, повышения химической стойкости и адгезии фотомаски к подложке. У негативных ФР сушка сопровождается термополимеризацией, у позитивных — разрушением молекул и последующим задубливанием. Чтобы не произошло ухудшения качества фотомаски, сушку проводят в два-три этапа с постепенным подъемом температуры до максимальной. Для большинства ФР максимальная температура второй сушки 150 °С. Выдержка при максимальной температуре должна быть небольшой, чтобы не произошли разрывы фоторезистивной маски, общее время 1–1,5 ч. Облучение перед второй сушкой большой дозой глубокого УФ устраняет пластическое течение ФР при термообработке и существенно улучшает качество фотомаски.

Термообработка во многом зависит от последующего метода травления.

  • Термообработка фоторезистивной маски, используемой при химическом травлении слоев, представляет собой двух-, трехступенчатый нагрев подложек с масками. При этом первая ступень представляет собой нагрев до температуры (90 +/- 5) °С с выдержкой не менее 10 мин, а последняя ступень — нагрев до температуры не более 160 °С с выдержкой, подбираемой в зависимости от толщины фоторезистивной маски и марки ФР.
  • Термообработка фоторезистивной маски, используемой при ионном травлении слоев, состоит из трех ступеней температуры нагрева: (100 +/- 5) °С — выдержка в течение (10 +/- 1) мин; (150 +/- 5) °С — выдержка в течение (10 +/- 1) мин; (180 +/- 5) °С — выдержка в течение (30 +/- 1) мин.

Этап создания фоторезистивной маски является основным этапом формирования топологического слоя, поскольку точность передачи рисунка на материал интегральной микросхемы (ИМС) во многом зависит от точности полученного на данном этапе фоторезистивного слоя (маски).


 

По материалам журнала Технологии в электронной промышленности №3’2007

Электронная промышленность

Некоторые сведения об использовании фоторезистивных технологий в современной электронной промышленности…


Фотолитография (ФЛ) — это технологический процесс (ТП), основанный на использовании фотохимических явлений, которые происходят в нанесенном на подложку слое фоторезиста (ФР) (Примечание. В литературе можно также встретить термин «актинорезист») при его обработке ультрафиолетовым (УФ) излучением через маску (фотошаблон (ФШ)) и последующей операции формирования маски в слое фоторезиста и травлении технологического слоя через маску в ФР.

Основными параметрами, определяющими технологический уровень ФЛ, являются:

  • минимальный элемент изображения и точность его воспроизведения в ФР по полю изображения, по подложке и в партии обрабатываемых подложек;
  • погрешность совмещения топологических слоев; воспроизводимость формы (рельефа) элементов, протравленных в технологическом слое через маску в ФР;
  • плотность дефектов в технологическом слое, внесенных в процессе литографии.

Формирование слоя фоторезиста

Данный процесс должен обеспечить получение равномерных по толщине бездефектных фотослоев с хорошей адгезией к подложке при сохранении исходных свойств применяемых ФР.

1. Подготовка поверхности подложек.

Рис. 1. Этапы (I, II, III) и операции (1-8) литографического процесса: I — формирование слоя резиста; II — передача рисунка на слой резиста; III — передача рисунка на материал ИМС

 

 


Рис. 2. Классификация литографических процессов

 

 


Рис. 3. Клин травления при передаче рисунка с фотомаски на пленку ФР

 

 


Рис. 4. Поверхность, смачиваемая жидкостью: а) плохо; 6) хорошо


Подготовка поверхности подложки к нанесению ФР состоит из нескольких операций и является индивидуальной для каждого конкретного случая в зависимости от материала подложки, технологии его получения, состояния поверхности и дальнейшего назначения маски. Под подложкой в фотолитографических процессах подразумевается тот материал, на котором формируют резистивный слой. Если фотомаска используется для локального травления, то качество передачи рисунка на подложку зависит в основном от адгезии маски к подложке и от способности тра-вителя проникать под слой фотомаски по границам окон. Адгезия фотослоя увеличивается с повышением смачивания поверхности подложки ФР. Проникновение травителя под слой фотомаски, приводящее к растравливанию подложки (рис. 3), в свою очередь, зависит от смачивания поверхности подложки травителем или водой. Критерием смачиваемости является краевой угол смачивания поверхности твердого тела жидкостью (рис. 4). Оптимально подготовленной к ФЛ поверхностью является поверхность, которая хорошо смачивается ФР и плохо смачивается водой.

Эти условия не противоречат друг другу для большинства полимерных ФР, так как они, будучи сами гидрофобными, хорошо смачивают гидрофобные, а не гидрофильные поверхности. Таким образом, подготовленная к нанесению фоторезиста поверхность должна быть очищена от загрязнений, а также должна обладать свойством гидрофобности. Требования к очистке, содержащиеся в ОСТ 107.750878.001-87, состоят в следующем.

1. Очистка подложек должна включать:

  • обработку моющими средствами;
  • промывку;
  • просушку.

2. Выбор моющих средств для обработки подложек, за исключением полиамидных, производится в соответствии с ОСТ 4Г 0.029.233-84. Обработку подложек из керамики нужно производить с использованием ультразвукового (УЗ) воздействия на частоте не менее 18 кГц.

3. Обработку полиамидных подложек производить в хромовой смеси (серная кислота 1000 мл, вода деионизованная 100 мл, калий двухромовокислый 75 г).

4. Промывку подложек производить в проточной дистиллированной или деионизо-ванной воде.

5. Сушку подложек, за исключением полиамидных, производить при температуре 120 +/-5С в течение 15 +/-5 мин. Допускается производить сушку подложек в центрифуге при использовании специальных линий очистки подложек, в которых предусмотрена такая сушка.

6. Сушку (отжиг) полиамидных подложек производить в среде инертного газа при температуре не менее 200С в течение 60 +/-5 мин.

7. Поверхность подложки, прошедшей очистку, должна быть чистой, без подтеков, пятен и инородных предметов.

8. Очистку подложки следует производить непосредственно перед нанесением на нее слоев. В обоснованных случаях допускается перерыв между окончанием очистки и началом нанесения слоев, который не должен превышать 6 ч при хранении подложек в эксикаторе с силикагелем или 24 ч при хранении в шкафу с защитной средой.

Нанесение фоторезиста.

Нанесенный на предварительно подготовленную поверхность подложек слой ФР должен быть однородным по толщине по всему их полю, без проколов, царапин (т. е. быть сплошным) и иметь хорошую адгезию.

Наносят слой ФР в максимально обеспыленной среде. Перед употреблением обязательно фильтруют в специальных фильтрах.

Существуют следующие методы нанесения ФР:

  • центрифугирование;
  • распыление (пульверизация);
  • электростатический метод;
  • окунание;
  • полив;
  • накатка.

Наиболее распространенными являются первые два метода, о которых мы подробно и расскажем, остальные затронем только с точки зрения их достоинств и недостатков.

Метод центрифугирования (рис. 5)

Центрифугирование в основном применяется для круглых подложек, т. е. пластин кремния и других полупроводников, но с помощью несложной доработки установки для данного метода нанесения ФР можно приспособить и для прямоугольных пластин (рис. 6).

Рис. 5. Схема установки для нанесения слоя. ФР центрифугированием:1- дозатор (капельница); 2 — подложка; 3 — столик; 4 — кожух для сбора избытка ФР; 5 — вакуумные уплотнители; 6 — электродвигатель; 7 — трубопровод к вакуумному насосу

 

 

Рис. 6. Доработанная рабочая камера установки для нанесения ФР центрифугированием на прямоугольные подложки

На несложном оборудовании наносят слои ФР, погрешность толщины которых составляет 5%. На подложку 2, которая устанавливается на столике 3 центрифуги и удерживается на нем вакуумным присосом, ФР подается капельницей-дозатором 1. (Примечание. Время между нанесением жидкого ФР и включением центрифуги должно быть минимальным (0,5-1 с), чтобы вязкость резиста не менялась в результате испарения растворителя). Когда столик приводится во вращение, ФР растекается тонким слоем по поверхности подложки, а его излишки сбрасываются с нее и стекают по кожуху 4. При вращении центрифуги происходит испарение растворителя и вязкость ФР возрастает, поэтому он не полностью сбрасывается с поверхности подложки. Зависимость оставшегося на поверхности жидкого слоя ФР зависит от частоты вращения центрифуги и кинематической вязкости ФР…

Зависимость толщины наносимого слоя от частоты вращения столика центрифуги при различных коэффициентах вязкости ФР показана на рис. 7.

С увеличением скорости центрифугирования уменьшается не только среднее значение толщины ФР, но и ее разброс. При достижении некоторого числа оборотов толщина пленки становится постоянной, а рассеивание минимальным. Это число оборотов называется критическим. Оно соответствует равновесию центробежных и когезионных сил при пленкообразовании.

Рис. 7. Зависимость толщины слоя ФР от частоты вращения центрифуги при различных значениях его кинематической вязкости

Большое рассеяние (невоспроизводимость) значений толщины при числе оборотов, которое меньше критического, можно объяснить краевым утолщением слоя фоторезиста, которое с увеличением частоты вращения уменьшается и смещается к периферии подложки. На рис. 8 изображены профили ФР-слоя, полученные на подложках при различных частотах вращения центрифуги. Из рисунка видно, что при малом числе оборотов краевое утолщение занимает значительную часть подложки, а при большом числе оно практически сводится к нулю. Поскольку максимальная разрешающая способность процесса фотолитографии достигается при минимальной толщине ФР, то целесообразно поддерживать частоту оборотов, превышающую критическое значение. Однако от толщины ФР-слоя зависит его устойчивость к агрессивным средам, которую нельзя обеспечить при минимальной толщине ФР. Таким образом, при выборе толщины слоя ФР, а следовательно, и значения критического числа оборотов, следует исходить не из минимальной, а из оптимальной толщины пленки.

Рис. 8. Профили фоторезистивного слоя, полученные на подложках при разных скоростях вращения центрифуги: 1 — 200 об/мин; 2 -400 об/мин; 3-1000 об/мин

Необходимо отметить, что время центрифугирования мало влияет на параметры слоя. Для формирования слоя обычно достаточно 20-30 с.

Выбирая толщину слоя фоторезиста, необходимо учитывать, что он должен обладать высокой разрешающей способностью (чем меньше толщина, тем выше разрешающая способность) и не терять стойкости к трави-телю. Кроме того, слой фоторезиста не должен иметь дефектов в виде проколов, число которых с уменьшением толщины увеличивается. Следовательно, толщина слоя ФР должна быть возможно минимальной, но достаточной для обеспечения его стойкости к травителю, плотности и малой дефектности (в виде проколов).

Наносимые центрифугированием слои ФР могут иметь дефекты в виде «комет», образующиеся в том случае, если на поверхности подложек имелись остаточные загрязнения или ФР был плохо отфильтрован. Такие дефекты выглядят как направленные от центра локальные утолщения или разрывы слоя ФР.

Достоинствами центрифугирования являются:

  • простота;
  • отработанность;
  • достаточная производительность оборудования;
  • возможность нанесения тонких слоев фоторезиста с небольшим разбросом по толщине.

Недостатки этого метода:

  • трудность нанесения толстых слоев ФР (более 3 мкм);
  • наличие краевого утолщения;
  • загрязнение слоев из-за захвата пылинок из окружающей среды при вращении центрифуги (центр вращающегося диска является своеобразным центробежным насосом);
  • наличие внутренних напряжений в слое ФР;
  • необходимость тщательного контроля вязкости ФР из-за испарения растворителей и режимов работы центрифуги;
  • сложность автоматизации.

Метод распыления (пульверизация)

В литературе можно встретить термин «дисперсионный» метод. Нанесение ФР распылением производится форсункой, в которой для диспергирования струи раствора ФР при выходе из сопла используется сжатый воздух. Для получения равномерных слоев распыление выполняют движущейся форсункой на движущиеся подложки. Параметры слоя зависят от давления и температуры воздуха, расстояния от сопла форсунки до подложки, скоростей движения форсунки и подложки и от параметров ФР. Для улучшения адгезии фотослоя подложки можно нагревать. Распылением можно наносить слой на рельефные поверхности, получать слои толщиной от 0,3 до 20 мкм с точностью до 10%. Основная проблема при нанесении слоев распылением — затягивание пыли и других загрязнений струей диспергированного ФР. Распыление применяют для нанесения ФР на прямоугольные диэлектрические подложки.

Достоинства пульверизации состоят в следующем:

  • возможность изменения толщины слоя ФР в широких пределах;
  • однородность слоев по толщине;
  • отсутствие проколов (пор) и разрывов пленки;
  • отсутствие механических напряжений в слое ФР (как следствие — уменьшение дефектности слоев в 3-4 раза по сравнению с полученными центрифугированием);
  • отсутствие утолщений по краям подложек;
  • возможность нанесения ФР на профилированные подложки (в малейшие углубления и отверстия);
  • возможность нанесения ФР на поверхности большой площади;
  • меньший расход ФР (по сравнению с центрифугированием) ;
  • высокая производительность;
  • возможность групповой обработки и автоматизации.

 

Недостатки метода:

  • затягивание пыли и других загрязнений струей диспергированного ФР;
  • попадание остатков газа-носителя в слой ФР;
  • применение газа-носителя с малой температурой испарения;
  • сложность установки (как следствие — дороговизна).

Электростатический метод

Достоинства метода:

  • высокая производительность;
  • возможность наносить слой фоторезиста на подложки большой площади.

Недостатки:

  • трудность стабилизации;
  • проблема устранения пыли,
  • притягиваемой электростатическим полем;
  • сложность оборудования.

Методы окунания и полива

Достоинства:

  • нанесение слоя ФР на подложки больших размеров;
  • возможность изменения толщины слоя ФР в широких пределах на обеих сторонах подложки.

Недостатки:

  • неоднородность слоя ФР по толщине;
  • высокая вероятность загрязнения слоя ФР.

Общей особенностью нанесения жидких ФР являются трудность получения сплошных слоев заданной толщины и влияния краевых дефектов.

Метод накатки

Накатка применяется для нанесения сухих пленочных ФР, представляющих собой трехслойную ленту.

Достоинства метода:

  • простота процесса;
  • равномерность толщины в пределах 5%;
  • пригоден для нанесения ФР на подложки любого типа.

Недостатки:

  • большая толщина слоя (10-20 мкм);
  • низкая разрешающая способность.

 

Термообработка (1-я сушка) слоя.

Сушка является операцией, завершающей формирование слоя ФР, и выполняется после его нанесения. Она проходит в два этапа:

1) низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;

2) высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.

В процессе сушки удаляется растворитель, и в пленке ФР происходит сложный релаксационный процесс плотной упаковки молекул, уменьшающий внутренние напряжения и увеличивающий адгезию фотослоя к подложке. Растворитель при сушке необходимо удалять полностью, так как он экранирует фоточувствительные части молекул при экспонировании. Удаление растворителя проходит в две стадии:

1) диффузия изнутри слоя к границе слой -атмосфера;

2) испарение с поверхности.

Если испарение преобладает над диффузией, поверхностный слой ФР уплотняется раньше внутреннего слоя и препятствует удалению растворителя изнутри. При этом возникают внутренние напряжения, ослабляющие слой и приводящие к его разрывам. Для более равномерного высыхания фоторезист приготавливают на смесях растворителей с различными скоростями испарения. Сушку рекомендуют проводить в инертной атмосфере, так как на воздухе возможно окисление молекул ФР.

Основными параметрами процесса сушки являются температура и время, которые в значительной степени влияют на такие важные показатели ФР, как время его экспонирования и точность передачи размеров элементов после проявления. При низких температурах адгезия фотослоя к подложке плохая, преобладает сцепление между собственными молекулами полимера (когезия). Этим объясняется отслаивание фотослоя при проявлении, кроме этого, возможно неполное удаление растворителя. Слишком быстрая сушка может привести к возникновению механических напряжений в пленке. При больших температурах в ФР идет термополимеризация (при 140-200 С) и другие процессы. Так, в слое позитивного ФР при температурах выше критических, протекают те же необратимые явления, что и при экспонировании. Качество проведения сушки влияет на все остальные операции ФЛ.

Рис. 10. Зависимости потери массы ФР (1 ] и его толщины (2) от температуры сушки при длительности сушки 30 мин

На рис. 10 показаны зависимости потери массы ФР (за счет удаления растворителя) и изменения толщины слоя от температуры сушки при постоянном времени сушки.

Большое значение при сушке имеет механизм подвода теплоты.

Существуют три метода сушки:

  • конвективный,
  • инфракрасный (ИК),
  • СВЧ-поле.

Конвективная сушка выполняется в термостатах. Образующаяся на поверхности уплотненная часть слоя препятствует равномерной и полной сушке. Для равномерного испарения растворителя и снижения внутренних механических напряжений в фотослое сушку выполняют в два этапа: 15-20 мин. при 18-20 С, 30-60 мин. при 90-120 С. Недостаток метода — низкое качество ФР-слоя.

ИК-сушка отличается равномерным удалением растворителя по толщине слоя резиста, поскольку источником теплоты является сама подложка. (Примечание. ИК-излучение сначала достигает границы раздела подложка — резист и, отразившись от подложки, сильнее нагревает нижние прилегающие к подложке слои ФР). Возникает такой температурный градиент по толщине резиста, при котором наиболее холодной частью покрытия будет поверхность, а самой горячей — нижние слои, в которых испарение растворителей почти завершено. Следовательно, «фронт сушки» перемещается от подложки к поверхности слоя ФР. Поэтому у поверхности слой преждевременно не уплотняется. Время сушки понижается до нескольких минут. ИК-сушка является основным промышленным методом, применяемым в ФЛ-линиях. Она выполняется непосредственно после нанесения ФР под ИК-лампами при непрерывном продуве азотом.

При СВЧ-сушке подложки нагреваются, поглощая электромагнитную энергию СВЧ-поля. Такая сушка производится в печах мощностью 200-400 Вт при рабочей частоте 2,45 ГГц. Время сушки — несколько секунд. Достоинством метода является высокая производительность, а недостатками — сложность оборудования и необходимость тщательного экранирования рабочего объема во избежание облучения оператора, а также неравномерность сушки слоя фоторезиста на различных по электрическим характеристикам участках подложек. Поэтому СВЧ-сушке подвергают только однородные подложки.

При любом методе сушки ее режимы (время, температура) должны исключать появление структурных изменений в слое ФР.

Высушенный слой необходимо экспонировать не позднее чем через 10 ч.

Сушку подложек следует выполнять в тщательно очищенной от пыли среде. Контролируют качество сушки визуально или под микроскопом.

При нанесении слоя фоторезиста могут появиться различные виды брака.

  • Плохая адгезия ФР к подложке вызывает при последующем травлении растравливание и искажение рисунков элементов. Причиной плохой адгезии является некачественная подготовка поверхности подложек.
  • Локальные неоднородности рельефа слоя фоторезиста, имеющие вид капелек, обусловлены попаданием пылинок на подложки или присутствием посторонних частиц в ФР.
  • Микродефекты (проколы) слоя фоторезиста объясняются теми же причинами, что и локальные неоднородности рельефа.
  • Неоднородности рельефа слоя ФР в виде радиально расходящихся длинных лучей вызываются нарушением режима центрифугирования в процессе нанесения слоя (вибрацией столика при вращении).
  • Неоднородность толщины слоя ФР на подложках и разброс ее на разных подложках являются результатами перекоса столика, уменьшения частоты его вращения и увеличения времени разгона центрифуги. Отклонение толщины слоя ФР от заданной может быть также связано с изменением вязкости ФР.

Точность полученного в процессе фотолитографии (ФЛ) топологического рисунка в первую очередь определяется прецизионностью процесса формирования фоторезистивной маски.

Передача рисунка на слой резиста (т. е. формирование фотомаски (ФР)) — технологический этап, на котором в фотослое создается топологический рисунок. Данный этап состоит из следующих операций (рис. 1):

  • совмещение и экспонирование;
  • проявление;
  • термообработка (2-я сушка).

Изготовление фоторезистивной маски следует выполнять без перерывов. В обоснованных случаях допускаются перерывы между сушкой фоторезистивного слоя и совмещением и экспонированием рисунка, а также между проявлением фоторезистивной маски. При этом длительность каждого перерыва не должна превышать 3 суток, в течение которых подложки должны находиться в светонепроницаемой таре, помещенной в устройство для хранения деталей в защитной среде.

Совмещение и экспонирование

Совмещение фотошаблона (ФШ) с подложкой Совмещение выполняют на той же установке, что и последующее экспонирование, путем наложения рисунков ФШ и подложки.

Современное производство предъявляет очень жесткие требования к точности совмещения (+/-0,5 мкм и менее). Сложность процесса состоит в том, что приходится с высокой точностью совмещать элементы малых размеров на большой площади.

Точность совмещения зависит от следующих факторов:

  • точность совмещения ФШ в комплекте;
  • точность воспроизведения форм и размеров элементов рисунков в процессе ФЛ;
  • качество подложек и слоев ФР;
  • способ автоматического совмещения, качество и сохраняемость в ТП фигур автоматического совмещения;
  • разрешающая способность микроскопа;
  • совершенство механизма совмещения установки;
  • индивидуальные способности оператора.

Существуют три метода совмещения ФШ с подложкой:

  • базовый (используется в основном при первой ФЛ, когда поверхность подложки еще однородна и точность совмещения слоев не требуется), при применении которого выбранный участок подложки — «базу» (сторону) устанавливают в определенном фиксированном положении; этот метод дает точность совмещения +/-10 мкм;
  • визуальный (преобладает), когда оператор совмещает ФШ с подложкой, наблюдая за контрольными отметками; этот метод обеспечивает точность совмещения от 0,25 мкм до 1 мкм и зависит от возможности установки;
  • автоматизированный (фотоэлектрический) с помощью фотоэлектронного микроскопа, обеспечивающего погрешность совмещения не более 0,03–0,3 мкм. На сегодняшний день наибольшее применение нашли 2-й и 3-й методы, поскольку начиная со второй ФЛ, когда на подложках сформированы топологические слои, рисунок ФШ необходимо ориентировать относительно рисунка предыдущего слоя с высокой точностью.

Экспонирование

Существуют три способа экспонирования:

  • экспонирование контактным способом (соответственно и весь процесс ФЛ называют контактной ФЛ);
  • экспонирование с микрозазором;
  • проекционное экспонирование.

Экспонирование контактным способом

Выполняется после совмещения рисунков и устранения зазора до полного контакта шаблон–подложка. Нужное усилие контакта создается вакуумным или пневматическим прижимом. ФР имеют узкую спектральную область поглощения (310–450 нм) и относительно низкую фоточувствительность. Поэтому в качестве источников УФ-излучения применяют ртутно-кварцевые лампы, обеспечивающие высокую освещенность (до десятков тысяч люкс). Для согласования спектров поглощения ФР и излучения источника применяют светофильтры. Параллельность пучка излучения, необходимая для равномерной освещенности экспонируемой поверхности фотослоя, обеспечивается системой конденсоров, имеющих 1–5 кварцевых линз. Разброс освещенности в пределах рабочего поля подложки не должен превышать 5%.

При тщательной стабилизации освещенности и плотном контакте ФШ– подложка на практике процесс экспонирования контролируют временем облучения. Необходимое время экспонирования обеспечивается электромагнитным затвором, время открывания и закрывания шторки которого составляет 0,05–0,1 с, что в интервале времен экспонирования (1 с… 2 мин) обеспечивает хорошую точность.

У системы затвор–дозатор погрешность дозы при экспонировании не более 5%.

Режимы проявления слоя ФР зависят от времени экспонирования. Необходимую экспозицию устанавливают, учитывая тип и светочувствительность ФР, а также толщину его слоя.

Существенным ограничением контактной фотолитографии является неизбежность механических повреждений рабочих поверхностей ФШ и подложки, так как эти поверхности при совмещении находятся на близком расстоянии (10–15 мкм), а при экспонировании плотно прижаты друг к другу. Из-за механического износа пленочного рисунка необходима частая замена ФШ, которая требует остановок оборудования и делает нецелесообразным автоматизацию процесса экспонирования.

При контактировании ФШ вдавливает в фотослой пылинки, микрочастицы стекла и др. На ФШ налипает ФР. Кроме того, любые непрозрачные для УФ-излучения частицы, попавшие между ФШ и фотослоем, также являются причиной появления дефектов фотомаски.

Получение полного плотного контакта между ФШ и подложкой представляет собой практически неразрешимую задачу из-за изогнутости пластин, неидеальности плоскости контактируемых поверхностей, наличия между ними посторонних частиц, из-за неравномерности толщин различных пленок и фотослоя и др. Частичные воздушные зазоры приводят к усилению дифракционных эффектов и обусловливают дополнительное расширение размеров получаемого изображения.

Предельная точность совмещения при контактной ФЛ ограничена сложностью создания системы фиксации перехода от положения «зазор» к положению «контакт», поэтому при переходе от совмещения к экспонированию возможно смещение ФШ относительно подложки. Ошибки могут появиться также из-за того, что оператор совмещает рисунки ФШ и подложки, находящиеся в разных плоскостях.

Важным оптическим эффектом при экспонировании является прохождение УФ-излучения через пленку ФР. Световой поток, проходя через слой ФР, рассеивается в нем, а достигая подложки, отражается от нее и возвращается обратно в слой ФР. Дойдя до поверхности ФШ, световой поток отражается под углом от его металлизированных непрозрачных участков и через прозрачные участки попадает в слой ФР на подложке.

Эти отражения светового потока приводят к нежелательному дополнительному экспонированию участка слоя ФР находящимися под ним непрозрачными участками ФШ (рис. 5). Интенсивность отраженного потока света зависит от коэффициентов отражения подложки и ФШ. Для снижения эффекта отражения при контактной ФЛ используют цветные оксидные ФШ, имеющие малый коэффициент отражения.

ФШ с хромовым маскирующим покрытием имеют коэффициент отражения УФ-излучения (350–450 нм) 0,65, при использовании специальных низкоотражающих оксидных слоев он снижается до 0,04–0,08; у ФШ с железооксидным слоем коэффициент отражения 0,15–0,35.

Контактная ФЛ широко применяется в настоящее время и является наиболее отработанным методом, отличается высокой производительностью и невысокой стоимостью. Вследствие тесного контакта ФШ — подложка достигаются высокие разрешения. На фото — слой позитивного ФР толщиной 0,5 мкм можно передать элементы размерами 1 мкм. Тем не менее в связи с приведенными ограничениями контактной ФЛ дальнейшее совершенствование технологии получения топологии элементов ИМ, вызванное необходимостью повышения степени их интеграции, развивается в направлении применения бесконтактных методов экспонирования и уменьшения дифракционных явлений.

Экспонирование с микрозазором

Данный метод отличается от контактного экспонирования только тем, что после совмещения между подложкой и шаблоном имеется зазор 10–25 мкм, при котором и осуществляют облучение фотослоя.

Проекционное экспонирование

Проекционный метод отличается от теневых способов тем, что основан не на экранировании от равномерного потока света, а на проецировании, т. е. получении изображения, соответствующего топологии шаблона, на поверхности фотослоя с помощью оптической системы со специальным объективом (фотоувеличитель).


По материалам журнала Технологии в электронной промышленности №3’2007

  • ЗАДАТЬ ВОПРОС